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硅片热处理的方法
申请号/专利号： 95116613
公开了一种硅片热处理的方法，包括用含氢氟酸的水溶液与硅片表面接触，以从硅片表面除去金属；用臭氧水与氢氟酸处理过的硅片接触以在硅片表面上生长亲水性氧化物层，和加热用臭氧水处理过的硅片到至少约３００℃的温度并至少保持约１秒钟的时间，热处理开始时硅片表面上的铁、铬、钙、钛、钴、锰、锌和钒各自的浓度小于１×１０↑［９］原子／ｃｍ↑［２］。
申请日： 1995年08月25日
公开日： 1996年07月31日
授权公告日： 2000年10月11日
申请人/专利权人： ＭＥＭＣ电子材料有限公司
申请人地址： 美国密苏里
发明设计人： Ｓ·佩洛兹;Ｌ·Ｗ·施夫
专利代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人： 徐汝巽
专利类型： 发明专利
分类号： C30B33/02 |
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