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干燥氧气下不同温度对生长氧化硅平整度的影响
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| 用干燥氧气在硅片上长氧化硅，厚度100nm左右，要求要尽量平（粗糙度小）。常用的温度：900度，1000度和1100度下，哪个温度生长的氧化硅最平？另外，我的硅片不太平（主要是3nm左右的起伏），高温加热能不能使硅片变平些，然后再生长氧化硅以减小粗糙度？十分感谢 |
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