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shuitong110

银虫 (小有名气)

[求助] 硅材料 或者SOI片表面硅 在氮气环境下高温退货 表面形貌会有所改变吗 已有1人参与

基于SOI的光学器件 由于刻蚀等过程 侧壁粗糙度较大 现在想利用氮气高温退火进行粗糙度的降低 不知道有没有对这个有了解  在氮气环境下高温退火  硅表面形貌会有所改变吗
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shuitong110

银虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by wj0702114081 at 2014-05-21 08:44:59
这方面我看的也不多,我做的材料跟你的不太一样,我的是晶体材料。
高温处理的话,管式高温炉不行吗?氢退火我不太懂,没看过这方面的东西,氢气高温环境下会不会很危险啊?...

就是因为危险 需要精确的气体配比控制 所以做的才少 太原理工有一台 但是最近出了问题 目前还做不了。。。
9楼2014-05-21 14:35:59
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maccaboy

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
shuitong110: 金币+3 2014-07-08 08:40:45
个人认为:退火一般是处理应力,对外在微观形貌(粗糙度)难有改观。如果认为形貌可以改变,那就是对其进行加工了。
常规方法改变硅片表面的粗糙度,通常是研磨,抛光。
2楼2014-05-19 07:52:26
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shuitong110

银虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by maccaboy at 2014-05-19 07:52:26
个人认为:退火一般是处理应力,对外在微观形貌(粗糙度)难有改观。如果认为形貌可以改变,那就是对其进行加工了。
常规方法改变硅片表面的粗糙度,通常是研磨,抛光。

但是我们的结构是微米纳米量级 无法采用机械方法进行研磨抛光。。
3楼2014-05-19 08:32:46
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maccaboy

至尊木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by shuitong110 at 2014-05-19 08:32:46
但是我们的结构是微米纳米量级 无法采用机械方法进行研磨抛光。。...

不明白,光学器件为什么关心侧壁的粗糙度呢?
4楼2014-05-19 15:24:05
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