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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

[交流] 请教,半导体材料表面的内建电场

请问一下,半导体表面的内建电场的方向与半导体的类型有关吗?也就是说n型材料的半导体表面的内建电场方向是由体内指向表面的,而p型材料正好相反是吗?
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chenkailai

想知道你的材料是否有吸波性能么?

fzfscn(金币+0,VIP+0):对不起,请不要做广告!
提供电磁参数和反射率测试(2~18GHz),可提供数据和曲线,价格根据数量而定( 一般为200元整个频段)。
张先生    zschenkai@163.com    13681011903
2楼2008-03-12 19:45:49
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zhanghe1983

铁虫 (初入文坛)

不太明白楼主的意思,一个掺杂均匀的同质半导体材料的表面 怎么出现了内建电场,
应该把condition说明下吧
3楼2008-03-12 21:22:51
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nanohappyyou

金虫 (正式写手)

你说的是表面耗尽层吧, 冷却过程中一起缺陷梯度, 甚至可以形成"同质结"
这样的话, 内电场的方向由缺陷类型决定
4楼2008-03-13 08:44:26
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

表面可能经过长时间暴露在空气中,或者经过等离子轰击,动可能形成我说的表面电场。我这里指的是长时间暴露在空气中,谢谢各位
5楼2008-03-14 14:49:50
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

我想知道的是电场方向有缺陷类型觉得,还是又掺杂类型决定?其方向又是什么样子的?
6楼2008-03-14 14:51:10
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zhanghe1983

铁虫 (初入文坛)

共同决定吧,考虑掺杂电荷的正负性,看看多子分布情况

比如说,p型材料,表面带正电荷,空穴被排斥,电场指向外
7楼2008-03-14 17:57:41
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

我觉得,如果表面有一个薄的氧化层的话,那么对于p型材料来说,在界面处,能带应该又材料到氧化层向下弯曲,这样表面的正电荷应该向外(即氧化层方向移动),这样就在界面处(P型材料的一边)留下了负电荷,所以氧化层表面应该带正电荷,所以电场应该是从氧化层表面指向体内的
8楼2008-03-14 20:37:45
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

这样我们可以说: 对于p型材料,自建电场是从表面指向体内;n型材料,自建电场是从体内指向表面。
9楼2008-03-14 20:43:13
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