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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » GaN基LED中V形坑中载流子输运研究
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wuxm0618

金虫 (小有名气)

[交流] GaN基LED中V形坑中载流子输运研究

LZ做GaN基LED的。GaN基LED有个特性：由于缺少廉价的GaN体单晶，所以GaN基LED一般生长于异质衬底上，但其与衬底间的晶格失配与热失配给材料中带来大量外错。这些位错在低温下生长量子阱的过程中就会发展成为V形坑，如图所示。V形坑使GaN材料极具特殊性，从图中可以看出，V形坑中和平台相比，p-n结的位置都易经发生了错动。那么由此可以联想到，V形坑中的载流子输运也同平台上可能会有所不一样。但是有什么好的表征手段来研究这里面的载流子输运呢？请各位纳米材料领域的大牛给予高见。

GaN基LED中V形坑中载流子输运研究
1.jpg
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说到不如做到。
1楼 2014-05-07 19:19:04
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snowbridge

至尊木虫 (文坛精英)
★
wuxm0618(金币+1): 谢谢参与
祝福~~~~
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2楼2014-05-07 19:33:18
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zls6110
★
wuxm0618(金币+1): 谢谢参与
3楼2014-05-07 19:41:20
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readytogo
★
wuxm0618(金币+1): 谢谢参与
4楼2014-05-07 19:47:41
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假大空
★
wuxm0618(金币+1): 谢谢参与
5楼2014-05-07 19:47:47
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西南几步遥
★
wuxm0618(金币+1): 谢谢参与
6楼2014-05-07 19:49:19
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天涯sx
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wuxm0618(金币+1): 谢谢参与
7楼2014-05-07 19:49:44
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yaoyao145
★
wuxm0618(金币+1): 谢谢参与
8楼2014-05-07 19:49:51
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匿名
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wuxm0618(金币+1): 谢谢参与
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9楼2014-05-07 19:52:47
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血性红魔
★
wuxm0618(金币+1): 谢谢参与
10楼2014-05-07 19:53:20
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