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GaN基LED中V形坑中载流子输运研究
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LZ做GaN基LED的。GaN基LED有个特性：由于缺少廉价的GaN体单晶，所以GaN基LED一般生长于异质衬底上，但其与衬底间的晶格失配与热失配给材料中带来大量外错。这些位错在低温下生长量子阱的过程中就会发展成为V形坑，如图所示。V形坑使GaN材料极具特殊性，从图中可以看出，V形坑中和平台相比，p-n结的位置都易经发生了错动。那么由此可以联想到，V形坑中的载流子输运也同平台上可能会有所不一样。但是有什么好的表征手段来研究这里面的载流子输运呢？请各位纳米材料领域的大牛给予高见。 1.jpg |
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snowbridge
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10楼2014-05-07 19:53:20
