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xiewangsun

金虫 (正式写手)

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[求助] 关于afors-het漂移扩散模型与热电子发射模型的相关问题

最近在利用afors-het模拟相关异质结HIT电池时出现一个问题，即加本征层时选择界面模型为热电子发射模型时，短路电流迅速从漂移扩散模型的39下降到了8.5，但按照诸多文献介绍，本征层与晶体硅的接触面设计为热电子发射模型是合理的，所以我有如下问题：
1）热电子发射模型与漂移扩散模型的适用范围是如何划分的（如果可以，请列出隧穿模型的相关适用范围）？
2）短路电流为什么会在漂移扩散模型向热电子发射模型的转变中迅速降低？
3）afors-het如何可以进行合理的网格设计？
如图是界面用漂移扩散模型和热电子发射模型时，得到的相关I-V图像：

附件是利用afors-het设计的电池结构参数，数据大多数来源于论文"Simulation of High-Efficiency Crystalline Silicon Solar Cells With Homo-Hetero Junctions"。
跪求指导！！！

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附件 1 : standand_p-i-n-n.het

2014-05-05 13:42:24, 22.01 K

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太阳能电池模拟

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1楼2014-05-05 13:45:39

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点，咱的人

木虫 (小有名气)

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引用回帖:

3楼: Originally posted by xiewangsun at 2014-09-28 00:30:05
界面态一般需要参照标准文献的设定。现在有两种设定方法：
1. 添加一薄层（1nm左右），选择界面态缺陷为非晶硅体缺陷分布，而其余量可以参照晶硅；
2.在非晶硅晶硅界面有afors-het对应的界面提示，点击后设置缺陷 ...

兄弟能不能给我发一个.het文件，就是有你模拟论文结构参数，以及界面态的结构文件，兄弟可不可以给我指出界面态缺陷，及缺陷态密度的设置，非常感谢了！

[ 发自小木虫客户端 ]