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说要补一个简介：首先，GaN是一种宽禁带半导体材料；其次，从纳米线来讲，由于在横向所产生的尺寸限制（标准为100nm以下），会产生量子限制效应，有利于提高电子空穴的浓度，从而提高提高电子空穴对的复合效率。同时：由于尺寸效应而产生的发光峰蓝移，则是由于（一条定理类的东西，说尺寸越小，禁带宽度越大，先凑合理解，我回头找找）。 目前我所了解到的MOCVD生长GaN纳米线的方法有三种：1，采用催化剂，例如Ag，在反映初形成Ag+Ga的合金液滴，合金液滴的大小直接影响纳米线的直径。2，采用脉冲生长方式，还在学习当中。 3，采用模板辅助生长，例如SiO2模板，但对模板的开孔尺寸要求很高，50~200nm，满足阵列。 纯手打，勿喷，要喷请轻喷...本人能力有限，如有错误，大家一起交流指正... |
2楼2014-05-06 08:55:01
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说要补一个简介：首先，GaN是一种宽禁带半导体材料；其次，从纳米线来讲，由于在横向所产生的尺寸限制（标准为100nm以下），会产生量子限制效应，有利于提高电子空穴的浓度，从而提高提高电子空穴对的复合效率。同时：由于尺寸效应而产生的发光峰蓝移，则是由于（一条定理类的东西，说尺寸越小，禁带宽度越大，先凑合理解，我回头找找）。 目前我所了解到的MOCVD生长GaN纳米线的方法有三种：1，采用催化剂，例如Ag，在反映初形成Ag+Ga的合金液滴，合金液滴的大小直接影响纳米线的直径。2，采用脉冲生长方式，还在学习当中。 3，采用模板辅助生长，例如SiO2模板，但对模板的开孔尺寸要求很高，50~200nm，满足阵列。 纯手打，勿喷，要喷请轻喷...本人能力有限，如有错误，大家一起交流指正... [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
3楼2014-05-06 10:29:52
huaxuejidi
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4楼2014-05-06 20:34:05
5楼2014-05-06 21:18:13
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6楼2014-05-07 08:33:31
7楼2014-05-07 09:42:23
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8楼2014-05-07 11:42:22
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10楼2014-05-08 08:57:30
