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2014-05-04 14:09:56, 192.09 K
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shenhailan
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【答案】应助回帖
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RXMCDM: 金币+5 2014-05-05 13:00:36
phu_grassman: 金币+500, 翻译EPI+1, ★★★★★最佳答案, So kind of you. Have a nice day O(∩_∩)O~ 2014-05-05 14:32:25
RXMCDM: 金币+5 2014-05-05 13:00:36
phu_grassman: 金币+500, 翻译EPI+1, ★★★★★最佳答案, So kind of you. Have a nice day O(∩_∩)O~ 2014-05-05 14:32:25
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【发明的名称】晶片的清洗装置 【要约】 【课题】之前，晶片的清洗装置中，晶片与滚筒刷之间的定量平行校正不能进行，而且平行性的变化也不能掌控。 【解决手段】中心轴a方向的一端有以中心轴a自由旋转的棒状的滚筒刷37，旋转的滚筒刷37的旋转面与晶片W的清洁面39接触而进行清洗的清洗装置23中，中心轴a与晶片清洁面39存在倾斜的可能，可通过刻度盘式的调整螺丝45a，45b以调整滚筒刷37的一端的变化。 【专利要求的范围】 【要求项1】在中心轴方向的一端有绕该中心轴自由旋转的棒状的滚筒刷，旋转的滚筒刷的旋转面与晶片的清洗面相接触而进行清洗的清洗装置，上述中心轴与上述的晶片的清洗面存在倾斜的可能，可以通过刻度盘式的调整螺丝改变上述滚筒刷的一端的位置为特征的清洗装置。 【要求项2】以设有检查出上述晶片的清洗面与上述滚筒刷之间的距离的变化为特征的要求1项记载的晶片清洗装置。 【要求项3】以设有上述旋转面与上述中心轴相平行的接触面，与上述晶片的清洗面的平行角度在0.1mm以内为特征的要求1及要求2项记载的晶片清洗装置。 【发明的详细说明】 【0001】 【发明所属的技术领域】本发明涉及例如通过CMP装置（化学机械研磨装置）磨光后的用于清洗的晶片清洗装置。 【0002】 【现有的技术】制造系统LSI时的晶片处理工序中，通过CMP装置使用化学研磨剂，使线路间的中间层膜的凹凸平坦化。平坦化后的晶片，通过晶片清洗装置，清洗掉微粒和化学研磨剂等。到目前为止，这种晶片清洗装置，如图9所示，采用的是软材料（聚氨基甲酸酯等）做成的棒状的滚筒刷1进行旋转，旋转面与晶片W的清洗面3相接触进行清洗。滚筒刷1，如图10所示，在中心轴方向的一端，通过支持部件5，绕着中心轴进行自由旋转。这种方式，将晶片3夹住，在滚筒刷1的反方向（图10的下侧），设有一个从动滚筒7。因此，晶片通过滚筒刷1和从动滚筒7被夹住，清洗面3通过旋转的滚筒刷1在压住的同时进行清洗。 【0003】 【发明解聚的课题】之前，晶片清洗装置作为清洗处理工序需要设有多台的同一构造的装置，平坦化处理后的晶片分到各个晶片清洗装置上同时进行处理。但是，通过晶片清洗装置清洗后的晶片的微粒的测定结果，尽管是同一个装置，晶片的清洗能力也有差距。调查这种产生装置差异的主要原因，发现是如图11所示的晶片W与滚筒刷1之间的平行角度造成的。之前的晶片清洗装置，晶片与滚筒刷的平行角度没有基准。这种平行角度，是在组装的时候就决定的，依赖与部件的精度与组装的精度，实际属于无控制状态。还有，没有调整晶片与滚筒刷的之间的平行的设备，偏离平行时，一定要插入部件与部件之间的缝隙片进行调整，不仅要求技术熟练，而且不能进行定量的调整。还有，即使设定在最佳的平行状态时，要持续的保存平行状态是很困难的，由于没有检查平行发生变化的方法，就不能保持现有的平行状态。鉴于上述情况，本发明旨在提供一种以能够简单且迅速的进行定量平行，而且能够掌握平行状态的变化的清洗装置。 【0004】 【解决课题的方法】为了达到上述目的设计本发明的要求1中晶片的清洗装置，在中心轴方向的一端有绕该中心轴自由旋转的棒状的滚筒刷，旋转的滚筒刷的旋转面与晶片的清洗面相接触而进行清洗的清洗装置，上述中心轴与上述的晶片的清洗面存在倾斜的可能，可以通过刻度盘式的调整螺丝改变上述滚筒刷的一端的位置为特征。 【0005】这个晶片装置中，通过刻度盘式调整螺丝手动旋转进行调整，滚筒刷一端的位置变化，滚筒刷中心轴对晶片的清洗面就倾斜了。通过这个，不需要熟练的技术，就可以进行定量的调整清洗面与滚筒刷之间的位置。 【0006】要求2项中的晶片清洗装置，以设有可以检查出上述晶片的清洗面与上述的滚筒刷之间的距离的改变的手段为特征。 【0007】该晶片清洗装置，通过检出手段掌握清洗面与滚筒刷之间的距离的变化，以防止在平行较差的状态下用滚筒刷使清洗不到位。通过这个，防止在平行较差下用滚筒刷清洗时颗粒等在晶片上有较大的附着。 【0008】要求3中的晶片清洗装置，以设有上述旋转面与上述中心轴相平行的接触面，与上述晶片的清洗面的平行角度在0.1mm以内为特征。 【0009】该晶片清洗装置，平行角度在0.1mm以上时能够防止显著性的滚筒刷的清洗能力的下降，保持在高的清洗能力状态下除去颗粒等。 【0010】 【发明实施的形态】以下将参照实施形态图详细说明本发明晶片清洗装置。图1是涉及本发明晶片清洗装置的概要构成的侧面图，图2是图1清洗装置CMP装置的概要构成的平面图。 【0011】如图2所示，CMP装置11分为研磨模块A和清洗模块B两大部分。在研磨模块A中设有转车台13。清洗模块B中设有晶片Wet反转单元15，晶片Dry反转单元17，MS清洗部件19，DHF清洗部件21，与本实施相关的滚筒刷清洗部件23。图中，25是里面的操作面板，27是外面的操作面板，29是load，31是unload。 【0012】如图1所示，在滚筒刷清洗部件23中设有支持框33。支持框33上构成了轴承受部件35。轴承受部件35支持滚筒刷37绕中心轴a自由旋转。滚筒刷37由软材料（聚氨基甲酸酯等）组成，与中心轴a垂直方向的断面性状是圆形的棒状刷子。 【0013】滚筒刷37旋转时，旋转面与晶片W清洗面39接触进行清洗。所以，滚筒刷37，与旋转面与中心轴a平行的接触面41与清洗面39相接触。 【0014】滚筒刷37的轴心43插入轴承受部件35以自由旋转。然后，轴心43在插入轴承受部件35位置距离一半的地方有支点b，使旋转能自由进行。轴承受部35处，夹住支点b的地方有2个刻度盘式调整螺丝45a，45b，通过手动可以旋转，起到压住轴心43的作用。 【0015】滚筒刷37，刻度盘式的调整螺丝45a向压住轴心43的方向进行旋转，底端37a就会比前端37b低。还有，滚筒刷37，刻度盘式的调整螺丝45b向压住轴心43的方向进行旋转，底端37b就会比前端37a低。总之，滚筒刷37的轴心43对于轴承受部件35的位置可以改变。这样，滚筒刷37中心轴a（接触面41）对清洗面39就可以倾斜了。 【0016】还有，滚筒刷37附近设有检出位置发生改变的激光变位计47。激光变位计47，例如，通过激光的照射光及反射光，与滚筒刷37没有接触，可以检查出滚筒刷37与晶片W的清洗面39间的距离变化。变位检查方法可以检出清洗面39与滚筒刷37之间的距离变化，不仅限定于激光变位计37。 【0017】下面说明构成的清洗装置23的作用。在研磨模块A的研磨转车台13上进行CMP处理后，晶片W，通过滚筒清洗部件23，进行以除去研磨是的颗粒的后处理清洗。滚筒刷清洗部件23的滚筒刷37，通过刻度盘式的螺丝45a，45b进行调整，对清洗面39 的平行角度校正至后面的实施例中说明的值。这个平行角度，通过激光变位计47测定所定的值。 【0018】已将平行角度设至所定的值的滚筒刷37，通过旋转，与晶片W的清洗面39相接触，将附着在清洗面39上的颗粒等除去。 【0019】通过多个晶片W的反复清洗，滚筒刷37与清洗面39的平行角度发生变化时，通过激光变位计47就可以检查出。此情况下，滚筒刷37通过刻盘式的调整螺丝45a，45b进行调整，调整至最初所定的平行角度值。 【0020】晶片清洗装置23，通过手动调整刻盘式的调整螺丝45a，45b，滚筒刷37的支持位置发生改变，滚筒刷37中心轴a与晶片W的清洗面39发生倾斜，不需要熟练的技术，就可以将清洗面39与滚筒刷的位置进行定量的调整。 【0021】还有，清洗面39与滚筒刷37的距离变化可以通过激光变位计把握，防止平行角度变差时滚筒刷不能清洗干净。通过此，可以防止平行角度变差时用滚筒刷会增加晶片上颗粒等的附着。 【0022】所以，上述晶片清洗装置，因为可以对滚筒刷37与晶片W的位置进行定量校正，谁都可以简单，快速使滚筒刷与晶片W进行平行校正。还有，通过激光变位计47可以知道偏离，可以防止CMP处理后的颗粒等在晶片上的附着，防止成品率的低下。 【0023】 【实施例】下面涉及本发明晶片清洗装置的实际使用，说明找到的优选的平行角度的结果。图3是表示滚筒刷表面压力测定方法的说明图，图4，图5表示颗粒测定值的图谱，图6是平行角度为0.5mm时表面压力测定值的图谱，图7是平行角度为0.2mm时表面压力测定值的图谱，图8是平行角度为0.1mm时表面压力测定值的图谱。 【0024】图4和图5表示的是使用同样的晶片清洗装置颗粒测定结果值存在不同。图4和图5，X轴是测定点（与时间列并列。越靠右是越新的数据），Y轴是颗粒的数目。颗粒的规定值为50个。 【0025】图4中从最开始颗粒是50个以下很稳定。与其相比，图5，从最开始，颗粒逐渐向50个以上推移。这里图5的X轴的第12个点的测定值之前将晶片与滚筒刷的平行角度调整至0.1mm（滚筒刷的底端降低）。之后的颗粒数又变为50以下，降低了。图5的X轴的第12个点之前的晶片与滚筒刷的平行角度为0.5mm。 【0026】还有，如图3所示，滚筒刷37与晶片W之间夹入测压元件，测定表面压力。表面压力测定，滚筒刷37与晶片W接触的地方为0，滚筒刷37用1.8mm推压状态下测定表面压力。这个1.8mm的推压量，与正常的生产条件相同。 【0027】图6是图5X轴的第12个点以前的表面压力的监控。滚筒刷的底端，0.5mm高时，表面压力低的部分在滚动刷的底端部分。图7为晶片与滚筒刷平行角度为0.2mm（滚筒刷前段部分高时）时的表面压力的图。这是，表面压力低的部分与图6相反，在滚筒刷的前端部分。图8是晶片与滚筒刷的平行角度为0.1mm（滚筒刷的底端部分高时）的表面压力的图。这时表面压力比较均一。 【0028】所以，从颗粒降低的数据与表面压力的图上，可以看出当晶片与滚筒刷的平行角度在0.1mm以内时，能够保持均一的表面压力。换言之，在0.1mm以内时，可以确保均一的表面压力，可以很好的除去颗粒，使成品率提高。 【0029】 【发明的效果】如上面详细的说明，本发明要求项1中的晶片清洗装置中，中心轴与晶片的清洗面可能会倾斜，可以通过刻盘式的调整螺丝改变滚筒刷的一端的位置，定量调整清洗面与滚筒刷的位置，不需要有熟练技术的操作者，任何操作者都能简单且迅速地将清洗面与滚筒面的平行角度校正好。 【0030】要求2中记载的晶片清洗装置，因为设计了可以检查出晶片清洗面与滚筒刷之间的距离变化，能够掌握清洗面与滚筒刷之间的距离变化即平行角度，防止平行角度降低而使滚筒刷不能将晶片洗净。该结果可以防止颗粒等在晶片上附着量的增加，使成品率提高。 【0031】要求3中的晶片清洗装置，因为将旋转面与中心轴相平行的接触面，与晶片清洗面的平行角度设在0.1mm以下，可以防止平行角度在0.1mm以上时滚筒刷清能力的降低，从而通过高的清洗能力将颗粒等除去。 【图的简单说明】 【图1】本发明晶片清洗装置的简要构成的侧面图 【图2】图1晶片清洗装置组成的CMP装置的简要构成的平面图 【图3】滚筒刷表面压力测定方法的说明图 【图4】颗粒测定值图 【图5】颗粒测定值图 【图6】平行角度为0.5mm时的表面压力测定值的图谱 【图7】平行角度为0.2mm时的表面压力测定值的图谱 【图8】平行角度为0.1mm时的表面压力测定值的图谱 【图9】表示晶片清洗方法的概念图 【图10】晶片清洗装置的侧面图 【图11】表示晶片与滚筒刷的平行角度的说明 【符号说明】 23：晶片清洗装置 37：滚筒刷 39：清洗面 45a，45b：刻盘式的调整螺丝 47：激光变位计 a：中心轴 W：晶片 |
2楼2014-05-05 12:59:53
