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有机场效应晶体管研究新进展
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有机场效应晶体管研究新进展 OFETs的器件结构(a)及器件的输出(b)和转移曲线(c) 在中国国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室的研究人员在有机场效应晶体管（OFETs）的研究方面取得新进展，有关研究成果发表在近期的《先进材料》（Adv. Mater. ）上。 OFETs是未来有机电子学中最重要的单元器件，由于其制备工艺简单、成本低和柔韧性好等优点，在智能卡、电子商标、电子纸、存储器、传感器和有源矩阵显示器等应用方面前景广阔。目前基于有机半导体材料－并五苯的有机场效应晶体管的研究取得了很大的进展，其主要技术指标——迁移率和开关比已基本达到应用的要求。但是，器件还存在着夹断电压较高，阈值电压难于控制等缺点。 聚乙烯咔唑（PVK）是有机光电器件中常用的聚合物主体材料，具有优异的成膜性，良好的载流子存储能力和宽的带隙等优点。该研究采用20 nm厚的PVK薄膜作为缓冲层，修饰并五苯与SiO2的界面，制备了并五苯OFETs。结果表明，PVK缓冲层的加入明显提高了器件迁移率和开关比（迁移率约为0.5 cm2/V s, 开关比约为107）；同时显著降低了器件的夹断电压（器件的夹断电压的绝对值都小于20 V ）。另外还发现，起始栅极电压可以改变存储在PVK缓冲层中的载流子数目，从而实现了在单个器件中起始栅极电压对器件阈值电压的调控。这一研究对于OFETs在有机电子电路领域的应用具有重要意义。（来源：中国科学院化学研究所） （《先进材料》（Adv. Mater. ），Volume 20, Issue 3 , Pages 611 - 615，Y. Wang，Y. Q. Liu） |
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