| 查看: 880 | 回复: 0 | ||
[资源]
2301P沟道MOS管中文数据资料
|
|
SI2301 SI2301是二三级管的一种，属于场效应管。 主要参数： 晶体管类型 ： P沟道MOSFET 最大功耗PD ： 1.25W 栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值） 漏源电压VDS ：－20V（极限值） 漏极电流ID：－2.3A 通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值） 栅极漏电流IGSS：±100nA 结温：55℃to+150℃ 封装：SOT-23(TO-236) WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS 替代型号: P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : SI2301_P沟道MOS管中文数据资料.pdf
2014-04-25 10:09:52, 344.92 K
» 猜你喜欢
生命口会评
已经有7人回复
-
今年E04面上
已经有23人回复
-
27届辽宁大学应届毕业生申博
已经有3人回复
-
关于如何从代码看上不上会
已经有23人回复
-
大龄残疾硕士的一点执念
已经有25人回复
-
chemdraw
已经有6人回复
-
祈祷青基必中
已经有10人回复
-
b口会评
已经有6人回复
-
信息学部会评时间
已经有3人回复
-
在职考研
已经有7人回复