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lirun7

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[资源] 2301P沟道MOS管中文数据资料

SI2301
SI2301是二三级管的一种，属于场效应管。
主要参数：晶体管类型： P沟道MOSFET 　　
最大功耗PD ： 1.25W 　　
栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）　　
漏源电压VDS ：－20V（极限值）　　
漏极电流ID：－2.3A 　　
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）　　
栅极漏电流IGSS：±100nA 　　
结温：55℃to+150℃ 　　
封装：SOT-23(TO-236)
WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS
替代型号:
P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

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附件 1 : SI2301_P沟道MOS管中文数据资料.pdf

2014-04-25 10:09:52, 344.92 K

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1楼 2014-04-25 10:11:51

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