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2301P沟道MOS管中文数据资料
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SI2301 SI2301是二三级管的一种，属于场效应管。 主要参数： 晶体管类型 ： P沟道MOSFET 最大功耗PD ： 1.25W 栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值） 漏源电压VDS ：－20V（极限值） 漏极电流ID：－2.3A 通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值） 栅极漏电流IGSS：±100nA 结温：55℃to+150℃ 封装：SOT-23(TO-236) WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS 替代型号: P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET |
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2014-04-25 10:09:52, 344.92 K
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