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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 感觉VASP计算缺陷存在很大问题
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janet2012222

金虫 (小有名气)

[交流] 感觉VASP计算缺陷存在很大问题

最近我用VASP在重复一篇盐岩结构的TiN因为缺陷在Ti3N4的时候由金属性转变为绝缘体的情况。一个晶胞去掉一个钛原子形成Ti3N4，用VASP不加对成性进行优化，无论使用或不使用LDA+U都得不到金属性质。后来发现VASP的离子弛豫（ISIF=3)之后，原子位置和晶胞参数（角度一直是90度）几乎不发生改变，也就是结构扭曲很小。而文献用FLAPW方法LDA+U计算得到的结构比较扭曲，是半导体性质。而我用CASTEP和Dmol3优化结构很明显扭曲但也不是半导体性质。
    我怀疑过自己参数设置有问题，但经过老师检查参数设置没问题。进过一年多VASP的学习，我觉得VASP在优化缺陷方面真的不好。也许我计算时又很多不足。在这里请教大家是怎么做到让离子充分弛豫的。
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1楼 2014-04-23 10:45:32
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nwnuyuanyong
14楼2014-04-24 23:38:12
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oxox6085

专家顾问 (正式写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
janet2012222: 金币+1, 我建过一个16,24,32,64原子数的超胞，降低缺陷浓度，原子移动还是明显，晶格角度仍然是90度。 2014-04-24 08:57:53
试试GGA+U呢？
或者从扭曲的构形开始弛豫，看看是不是真的是vasp不能让离子充分弛豫
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有些事情可能只有计算机模拟能告诉我们答案
3楼2014-04-23 14:29:52
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
janet2012222: 金币+1, 缺陷浓度越高，不是结构应该越扭曲啊。我建过超胞，也不行 2014-04-24 08:54:52
一个晶胞共8个原子，那这个模型缺陷浓度是33%？这比掺杂的浓度都搞N倍。用超胞降低缺陷浓度试试。
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4楼2014-04-23 16:37:09
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stractor

金虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
缺陷与其周期性镜像有相互左用，需用超胞。
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5楼2014-04-23 21:28:57
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