| 查看: 2839 | 回复: 5 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[求助]
关于vasp模拟STM时偏压问题已有2人参与
|
|||
|
看到论坛上说，在用vasp模拟STM图像时需要得到PARCHG,然后用来作图，在计算PARCHG时涉及到LPARD、NBMOD、EINT等参数。 想问一下哪个参数决定STM上的偏压？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 科研啊科研 |
» 猜你喜欢
三无产品还有机会吗
已经有4人回复
-
投稿返修后收到这样的回复，还有希望吗
已经有7人回复
-
压汞仪和BET测气凝胶孔隙率
已经有4人回复
-
博士申请都是内定的吗？
已经有14人回复
-
谈谈两天一夜的“延安行”
已经有13人回复
-
氨基封端PDMS和HDI反应快速固化
已经有11人回复
-
之前让一硕士生水了7个发明专利，现在这7个获批发明专利的维护费可从哪儿支出哈？
已经有11人回复
-
论文投稿求助
已经有4人回复
-
Applied Surface Science 这个期刊。有哪位虫友投过的能把word模板发给我参考一下嘛
已经有3人回复
-
投稿精细化工
已经有6人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 一种p4vasp配合VASP模拟STM图的方法
已经有224人回复
- 紧急请教：VASP模拟STM遇到的问题
已经有5人回复
- STM原理及其第一性原理模拟的物理意义
已经有18人回复
- 【求助】vasp能不能计算半导体在一定偏压下电流的大小呢？
已经有5人回复
- 【其他】征集第一性原理计算方面牛人的主页【活动结束】
已经有80人回复
- 【求助】请教一些STM成像问题
已经有8人回复
5楼2014-04-21 19:53:29
zhangguangping
木虫 (著名写手)
- 1ST强帖: 23
- 应助: 71 (初中生)
- 贵宾: 0.031
- 金币: 1973.1
- 散金: 9059
- 红花: 79
- 帖子: 2681
- 在线: 2128.8小时
- 虫号: 529624
- 注册: 2008-03-20
- 性别: GG
- 专业: 原子和分子物理
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
dumbgirl: 金币+5, ★★★很有帮助 2014-04-21 19:43:40
感谢参与，应助指数 +1
dumbgirl: 金币+5, ★★★很有帮助 2014-04-21 19:43:40
|
EINT这个参数就决定了偏压。这个可以从手册上看到。http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/vasp.pdf的p105. 具体的含义可以从下面看到。  |
2楼2014-04-21 17:41:57
zhangguangping
木虫 (著名写手)
- 1ST强帖: 23
- 应助: 71 (初中生)
- 贵宾: 0.031
- 金币: 1973.1
- 散金: 9059
- 红花: 79
- 帖子: 2681
- 在线: 2128.8小时
- 虫号: 529624
- 注册: 2008-03-20
- 性别: GG
- 专业: 原子和分子物理
3楼2014-04-21 18:03:35
mywai520
铁杆木虫 (著名写手)
- 应助: 339 (大学生)
- 金币: 10425.6
- 红花: 45
- 帖子: 1664
- 在线: 296.9小时
- 虫号: 265142
- 注册: 2006-07-09
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
4楼2014-04-21 18:26:34