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[求助] CuInS2 薄膜用共蒸发制备缺点有没有贵金属In消耗太多这一项啊？

写文章，之前看到一篇文献里CuInS2 薄膜用共蒸发制备会对贵金属In消耗太多，现在想用这个观点，可是死活找不到那篇文章了。
求各位帮忙，首先说明一下CuInS2 薄膜用共蒸发制备会不会消耗太多的In,如果这个观点对的话，最好能给我相关的文献~
拜托~

你我相逢，惜君如常。

1楼 2014-04-21 15:06:40

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版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

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nangezi29892: 金币+20, 博学EPI+1, ★★★很有帮助 2014-05-28 08:45:41

这个应该看具体方法吧。共蒸发还分三源、二源和单源共蒸发。如果是三源共蒸发，各源的蒸发温度可以分别控制，是节省In源的一种方法。其他就不如了。

没有困难创造困难也要上网。

2楼2014-04-21 20:05:07

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