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devilsunset

新虫 (初入文坛)

[求助] 温度变化对高纯锗探测器的性能有什么影响? 已有4人参与

求教各位,温度变化对高纯锗探测器的性能都有什么影响?
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themass

木虫 (正式写手)

低温加高压,温度高了高压加不上去

[ 发自小木虫客户端 ]
2楼2014-04-18 11:25:30
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孙?�730

至尊木虫 (知名作家)

优秀版主

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
主要是影响信噪比 和 灵敏度
因为 温度 和 红外光子 有一定的能量对应关系
hv=kT
sunyu730_emuch@126.com
3楼2014-04-18 11:32:56
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phykid

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

高纯鍺的禁带宽度比硅小,常温下电子可以跃迁到导带上(能量kT),这样产生的信号全是噪声,因此需要在低温下操作,这也是温度高了电压加不上的原因。
4楼2014-06-06 16:17:32
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wliujing

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

温度过高会导致测量本底的增大,如果高纯锗探测器在工作中温度升高,严重时会把探头烧坏。
5楼2014-08-20 01:08:21
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无量hking

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

高纯锗探测器禁带宽度只有0.7 eV左右,需要低温真空(液氮冷却至77 K 左右)运行,保证Ge晶体工作于半导体状态,并防止电子因为温度自激发带来显著噪声。
另外整个探测系统中的前置放大器通常与探测器安装在一起,前置放大器中的第一级场效应晶体管(FET)也被冷却至接近77 K 的温度,目的是为了减少FET噪音。
因此如果温度升高(但在可接受范围内),可能观察到探测器漏电流的显著升高,探测器漏电流会使spectrum中低于30 keV 的区间内出现显著噪音信号,漏电流的变化可使能量分辨率恶化。
(希望我编的对)
6楼2016-06-24 21:10:38
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