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用碳粉还原Si基片 出现较强的宽峰，为什么？
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各位大神，小弟在做SrAl2O4 Eu2+,Dy3+)/Si 薄膜，工艺条件换了很多，由于热处理时要将Eu3+还原成Eu2+，就在热处理过程中引入坩埚加盖碳粉中热处理（950℃，2h），做出来的膜一直没有绿光发射峰，反而在蓝光带有峰，如图1。于是将干净的Si基片，放在C粉中热处理（950℃，2h），有很强的发射峰，并且发现膜的峰型与热处理的Si的峰形基本一致，但强度远远高于膜的强度。如图2，图3 。但是将干净的Si基片放在空气中热处理（950℃，2h）,峰的强度很弱，如图4。是不是在还原气氛CO中跟Si基片发生了反应？求大神指点~~不甚感激！  图1 膜热处理后的发射光谱图（ex200）.jpg  图2 碳粉中热处理后的发射光谱图（ex200）.png  图3 碳粉中热处理后的发射光谱图（ex213）.png  图4 空气中热处理后的发射光谱图（ex200）.png |
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