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硅硅直接键合PIN二极管的研究
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哪位大侠能不能用MATLAB编写硅硅直接键合PIN二极管的键合工艺模拟程序，模拟工艺为：采用掺N型杂质（砷）浓度为1×10^19cm^-3,P型杂质（硼）浓度为1×10^14cm^-3。同时模拟了反外延工艺制备P-N+结。反外延工艺既是在P-衬底上外延N+层。键合模拟时，取N型杂质浓度为1×10^19cm^-3,P型杂质浓度为1×10^14cm^-3,中间本征氧化层厚度为d=3nm，温度为1100℃，键合时间1.5小时，在高浓度侧取非本征扩散系数Dc（As）、Dc（B），在低浓度侧取本征扩散系数Di（As）、Di（B）。同时用T-SUPREM4模拟外延、反外延、扩散、离子注入工艺的界面杂质分布。 能不能把MATLAB、T-SPREM4的程序和它们各自的仿真结果的截图发我邮箱里呢？ 邮箱：yq327@sina.cn |
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