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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 关于在器件材料层加入雪崩倍增区的问题
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jushangzhi

铁虫 (初入文坛)

[求助] 关于在器件材料层加入雪崩倍增区的问题

雪崩二极管中有一个倍增层可以起到电子/空穴倍增的效果，但是我查阅文献没发现引起倍增层中空穴倍增的条件是什么呢？如果我单独把一层倍增层拿出来（例如生长一层掺杂的InAlAs倍增层），希望空穴进入该层以后可以倍增10倍（倍增倍数没有严格要求），我应该如何控制倍增层的条件呢（电压？掺杂？……）？烦请各位大神解答，不胜感谢！
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1楼2014-04-15 15:34:57
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