| 查看: 677 | 回复: 0 | ||
[求助]
关于高斯ONIOM计算时， “ bonded-to“这个参数的使用问题
|
|
求高人指点： 高斯ONIOM分层计算时，需要指定界面的低层（ Low layer）原子与高层（High layer）的哪一个原子成键（bonded-to参数来设定），我发现高斯test例子中就指定了High layer的一个原子与Low layer的某个原子成键。而我模拟的是High layer的两个原子与Low layer的一个原子成键，这种情况如何来指定，输入文件如何设定呢？ 看了一下gaussian manual中分子系统设定时的bonded-to参数:”The 'bonded-to' parameter specifies which atom the current atom is to be bonded to during the higher-level calculation portion. If it is omitted, Gaussian will attempt to identify it automatically“。如果我不设定”bonded-to“参数，高斯是否会根据键长判断出High layer的两个原子都与Low layer的某个原子都成键呢？ |
回复此楼» 猜你喜欢
香港理工大学计算材料与物理课题组招聘博后
已经有15人回复
-
西班牙Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia, CSIC-BIST招收公派博士生
已经有0人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有85人回复
-
英国利物浦大学屠昕和雍雪课题组招收CSC博士生
已经有27人回复
-
北京交通大学王熙教授团队招收2026年入学催化方向博士研究生（还有1个名额）
已经有0人回复
-
华北电力大学（北京）（第一性原理计算）博士招生——学博，专博各1人
已经有45人回复
-
英国贝尔法斯特女王大学招收 2026 年 CSC/BBSRC phd 机器学习 催化剂设计方向
已经有0人回复
-
法国里昂大学招生CSC 资助博士生
已经有0人回复
-
法国里昂大学接收CSC 资助访问学者
已经有0人回复
-
北京工业大学材料科学与工程学院《院士团队》招收工程专业博士研究生（计算优先）
已经有1人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
