| 查看: 326 | 回复: 0 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【求助】ＭＯＳ中沟道夹断的问题．
|
|||
|
MOSFET工作在饱和状态下时，沟道出现夹断．而且随着源漏电压的升高，夹断点向源区移动．为什么说沟道夹断了仍然有电流通过，而且还是最大饱和电流？查阅了一些相关书籍，可是没有给出这方面的解释．而在埋沟MOSFET中，表面和体内的耗尽区将沟道夹断时，器件却进如亚阈区，这和一般的MOS有什么区别？谢谢． [ Last edited by ddx-k on 2008-12-12 at 19:43 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
拟解决的关键科学问题还要不要写
已经有3人回复
-
基金申报
已经有5人回复
-
基金委咋了？2026年的指南还没有出来？
已经有7人回复
-
国自然申请面上模板最新2026版出了吗？
已经有17人回复
-
纳米粒子粒径的测量
已经有8人回复
-
疑惑？
已经有5人回复
-
计算机、0854电子信息（085401-058412）调剂
已经有5人回复
-
Materials Today Chemistry审稿周期
已经有5人回复
-
溴的反应液脱色
已经有7人回复
-
推荐一本书
已经有12人回复
