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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 臭氧处理氧化单晶硅表面氧化层厚度？
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315443541

金虫 (小有名气)

[求助] 臭氧处理氧化单晶硅表面氧化层厚度？ 已有1人参与

用臭氧处理氧化单晶硅，表面氧化层厚度最多能到多少？大概过多长时间就氧化层厚度就不再增加了？希望知道的同学给点拨一下，不胜感激，并奉上10个金币~
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1楼 2014-04-01 21:16:01
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

臭氧并不会穿过原生氧化层产生新的氧化物。
臭氧一般用来做为低端的硅片表面清洗手段。
原生氧化层的厚度一般是一二十埃。
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2楼2014-04-18 18:16:04
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haipinghu008

金虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2014-04-18 18:16:04
臭氧并不会穿过原生氧化层产生新的氧化物。
臭氧一般用来做为低端的硅片表面清洗手段。
原生氧化层的厚度一般是一二十埃。

请问：臭氧为什么不能穿过原生氧化层？谢谢
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3楼2014-11-15 00:53:31
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haipinghu008

金虫 (正式写手)
兄弟，是否有答案了?同问：能氧化多厚？
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4楼2014-11-15 00:56:44
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