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1楼 2014-03-25 09:17:44

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yiming_0

金虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

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xunmengyuan: 金币+40, 翻译EPI+1, ★★★★★最佳答案 2014-03-25 13:17:42

As a result,with thinner gate insulator, the channel area at the same applied gate voltage will induce more carriers. So, Even at lower applied gate voltage could the conduction channel be formed in the TFT device and a low driving voltage TFT device would be the result.

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2楼2014-03-25 12:29:44

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