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SMALL-BUG

木虫 (职业作家)

[求助] 氧化铋和钨酸铋是直接跃迁还是间接跃迁已有2人参与

氧化铋和钨酸铋是直接跃迁还是间接跃迁,谢谢!

[ Last edited by sddtc888 on 2014-3-22 at 18:39 ]
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wangjun890

至尊木虫 (知名作家)

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感谢参与,应助指数 +1
sddtc888: 金币+1, 感谢应助,欢迎常来! 2014-03-22 18:39:55
作为一个半导体材料,都应该是直接跃迁,
如有其他成分,或复合物等,就不一定了。
2楼2014-03-22 18:22:08
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zhenwuhuang

至尊木虫 (文学泰斗)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
sddtc888: 金币+1, 感谢应助,欢迎常来! 2014-03-22 18:39:59
卤氧化铋化合物光催化剂
http://www.docin.com/p-487983078.html
3楼2014-03-22 18:31:00
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SMALL-BUG

木虫 (职业作家)

引用回帖:
2楼: Originally posted by wangjun890 at 2014-03-22 18:22:08
作为一个半导体材料,都应该是直接跃迁,
如有其他成分,或复合物等,就不一定了。

AgBr为什么是间接跃迁
H.F. Cheng, B.B. Huang, Y. Dai, X.Y. Qin, X.Y. Zhang, One-step synthesis of nanostructured AgI/BiOI composite with highly enhanced visible-light photocatalytic performances. Langmuir, 2010, 26: 6618-6624.
4楼2014-03-23 10:38:16
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SMALL-BUG

木虫 (职业作家)

引用回帖:
3楼: Originally posted by zhenwuhuang at 2014-03-22 18:31:00
卤氧化铋化合物光催化剂
http://www.docin.com/p-487983078.html

上面只是说BiOF是直接跃迁 其他的是间接跃迁 没有说氧化铋和钨酸铋
5楼2014-03-23 10:41:48
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SMALL-BUG

木虫 (职业作家)

引用回帖:
2楼: Originally posted by wangjun890 at 2014-03-22 18:22:08
作为一个半导体材料,都应该是直接跃迁,
如有其他成分,或复合物等,就不一定了。

其实我就想知道用波长算Eg 那个N为1还是4  因为直接跃迁是1 间接是4
6楼2014-03-23 10:45:44
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SMALL-BUG

木虫 (职业作家)

引用回帖:
3楼: Originally posted by zhenwuhuang at 2014-03-22 18:31:00
卤氧化铋化合物光催化剂
http://www.docin.com/p-487983078.html

其实我就想知道用波长算Eg 那个N为1还是4  因为直接跃迁是1 间接是4
7楼2014-03-23 10:45:50
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