实验带隙是直接带隙，理论计算下来是间接带隙是不是理论上算错了 - 第一性原理 - MS

思想重于技巧，内涵重于表象

11楼2014-03-22 18:07:45

1134684571

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谁说杂化泛函只适用于绝缘体？？？？求参考资料······以我的测试结果来看，杂化泛函对带隙小的半导体能带结构能给出比较正确的结果··

12楼2014-03-22 20:31:14

yangyangwlhx

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12楼: Originally posted by 1134684571 at 2014-03-22 20:31:14
谁说杂化泛函只适用于绝缘体？？？？求参考资料······以我的测试结果来看，杂化泛函对带隙小的半导体能带结构能给出比较正确的结果··...

CASTEP 软件中提示当然我在看文献过程中也有人报道说解决SIE 问题有两种方法一种是DFT+U 一种是用杂化泛函 PBE0比较适用于固体的计算确实是这样我在最初用CASTEP计算设置PBE0为函数计算时会出现一个对话框说是杂化泛函只适用于绝缘体不过当你把参数设置好之后照样可以算

孤狼

13楼2014-03-23 09:04:31

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11楼: Originally posted by souledge at 2014-03-22 18:07:45

半导体可以看作是带隙很小的绝缘体～...

是的确实将参数设置好之后半导体照样可以用杂化泛函算

孤狼

14楼2014-03-23 09:05:19

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我倒是很想用杂化泛函算当参数设置好之后电脑hold不住没办法只好作罢

孤狼

15楼2014-03-23 09:06:17

KalaShayminS

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7楼: Originally posted by yangyangwlhx at 2014-03-22 08:45:39
平面波方法 CASTEP软件我自己把材料用UV测试了一下处理下来的数据发现直接带隙和间接带隙的值相差很大...

差距很大说明计算有问题，确定计算用的K点没问题？实验有角分辨信息能判断k点位置吗？

16楼2014-03-24 21:35:10

yangyangwlhx

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16楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-03-24 21:35:10
差距很大说明计算有问题，确定计算用的K点没问题？实验有角分辨信息能判断k点位置吗？...

我计算的K点是软件自己设置的我不是很懂对于体系来如何设置K点虽然设置的技巧我懂想请教一下 K点的设置有什么可依据的标准不

孤狼

17楼2014-03-25 08:55:59