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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 实验带隙是直接带隙，理论计算下来是间接带隙 是不是理论上算错了
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souledge

专家顾问 (著名写手)
引用回帖:
10楼: Originally posted by yangyangwlhx at 2014-03-22 11:20:03
我用CASTEP计算时 选择PBE0  软件提示 杂化泛函只能用于计算绝缘体  我那个物质是半导体 不过 应该还是可以计算的吧...

半导体可以看作是带隙很小的绝缘体～
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思想重于技巧，内涵重于表象
11楼2014-03-22 18:07:45
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1134684571

木虫 (小有名气)
引用回帖:
10楼: Originally posted by yangyangwlhx at 2014-03-22 11:20:03
我用CASTEP计算时 选择PBE0  软件提示 杂化泛函只能用于计算绝缘体  我那个物质是半导体 不过 应该还是可以计算的吧...

谁说杂化泛函只适用于绝缘体？？？？求参考资料······以我的测试结果来看，杂化泛函对带隙小的半导体能带结构能给出比较正确的结果··
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12楼2014-03-22 20:31:14
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yangyangwlhx

木虫 (正式写手)

少校
引用回帖:
12楼: Originally posted by 1134684571 at 2014-03-22 20:31:14
谁说杂化泛函只适用于绝缘体？？？？求参考资料······以我的测试结果来看，杂化泛函对带隙小的半导体能带结构能给出比较正确的结果··...

CASTEP 软件中提示  当然 我在看文献过程中也有人报道说 解决SIE 问题有两种方法  一种是DFT+U  一种是用杂化泛函  PBE0比较适用于固体的计算 确实是这样 我在最初用CASTEP计算 设置PBE0为函数计算时  会出现一个对话框 说是杂化泛函只适用于绝缘体  不过 当你把参数设置好之后 照样可以算
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孤狼
13楼2014-03-23 09:04:31
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yangyangwlhx

木虫 (正式写手)

少校
引用回帖:
11楼: Originally posted by souledge at 2014-03-22 18:07:45
半导体可以看作是带隙很小的绝缘体～...

是的  确实 将参数设置好之后 半导体照样可以用杂化泛函 算
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孤狼
14楼2014-03-23 09:05:19
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yangyangwlhx

木虫 (正式写手)

少校
引用回帖:
12楼: Originally posted by 1134684571 at 2014-03-22 20:31:14
谁说杂化泛函只适用于绝缘体？？？？求参考资料······以我的测试结果来看，杂化泛函对带隙小的半导体能带结构能给出比较正确的结果··...

我倒是很想用杂化泛函算  当参数设置好之后  电脑hold不住  没办法 只好作罢
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孤狼
15楼2014-03-23 09:06:17
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KalaShayminS

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by yangyangwlhx at 2014-03-22 08:45:39
平面波方法  CASTEP软件  我自己把材料用UV测试了一下 处理下来的数据发现   直接带隙和间接带隙的值相差很大...

差距很大说明计算有问题，确定计算用的K点没问题？实验有角分辨信息能判断k点位置吗？
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16楼2014-03-24 21:35:10
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yangyangwlhx

木虫 (正式写手)

少校
引用回帖:
16楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-03-24 21:35:10
差距很大说明计算有问题，确定计算用的K点没问题？实验有角分辨信息能判断k点位置吗？...

我计算的K点是软件自己设置的   我不是很懂 对于体系 来如何设置K点  虽然 设置的技巧我懂  想请教一下 K点的设置 有什么可依据的标准不
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孤狼
17楼2014-03-25 08:55:59
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