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陷阱辅助下的隧穿电流怎么求解?
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对于非简并半导体,直接隧穿电流几乎为0,只有通过陷阱辅助下才能产生隧穿电流,这个电流具体怎么求解? 如果能有详细的求解过程的话更好 ![]() 注:所研究的对象是基于GaN/InGaN的蓝光led ![]() ![]() |
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