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延长载流子的寿命和的吸收带边红移是一致的吗
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文献中看到这样的说法 ”n型掺杂，能有效地使电子和空穴分离,降低电子一空穴对的复合几率,延长载流子的寿命,使Tio2的吸收带边红移,拓展光谱的响应范围,增加对太阳光的利用率,从而使得光生电子的激发效率提高,增强TIO2光催化活性, “ ， 感觉有问题，我自己觉得延长载流子的寿命和吸收带边红移，是两个独立的过程，互相没有关系。 因为 使电子和空穴分离得原因有 1、掺杂形成的杂志能级 2、由于掺杂或者别的原因使得体系产生偶极矩 而发生红移的原因也有两个： 1、带隙减小 2、杂质能级的出现 不知道我的理解对不对，请大牛指点 |
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