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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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guoyan_1982

[交流] 急求二氧化硅载体最佳焙烧温度

请问:
    有没有人知道二氧化硅做载体时,它的最佳焙烧温度是多少呀??
     急寻!!!
    十分感谢!!!
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rabbit7708

荣誉版主 (职业作家)

心虫

★ ★
buffaloli(金币+2,VIP+0):多谢!呵呵,辛苦了!
呵呵,焙烧温度主要取决于你用在何种反应中。
一般二氧化硅的比表面随焙烧温度增加会渐渐降低,特别是当焙烧温度高于800度时,同时孔径也会相应收缩;
另外,焙烧对二氧化硅表面羟基的影响较大,焙烧温度越高,会有越多B酸中心转化为L酸中心;
所以,针对不同反应,应采用不同的焙烧温度。
如果要使二氧化硅更好地涂覆于堇青石蜂窝陶瓷上,应该焙烧温度稍高一些,而且最好采用程序升温方法,缓慢升温。
常用的二氧化硅载体的焙烧温度为550度。
而且需要注意的是,二氧化硅载体,特别是硅胶载体在高温焙烧过程中容易炸裂,这个问题在前面的帖子中已经详细讨论过了,您可以搜索一下!:)

建议您做一组焙烧温度和焙烧时间的实验,那样自己会有一个更直观的感觉!:)

[ Last edited by rabbit7708 on 2008-1-20 at 11:58 ]
化学学科——催化专版欢迎您!:) http://emuch.net/bbs/forumdisplay.php?fid=190 常来看看哟!:)
6楼2008-01-20 11:56:54
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9jqshan

铁杆木虫 (小有名气)

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最佳焙烧温度并非取决于载体,而是与活性组分、活性组分与载体之间的作用关系相关,不过一般球形二氧化硅800度以上结构会塌陷,比表面积缩小
2楼2008-01-19 11:00:16
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fengjinjuan

金虫 (小有名气)

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我们用二氧化硅做载体时,真空下120度活化2小时就可以了
3楼2008-01-19 11:18:28
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qm13426292146

木虫 (正式写手)

我是用硅溶胶制备的SiO2,在500度烧了5小时,结果还可以。
4楼2008-01-19 12:13:15
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