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急求二氧化硅载体最佳焙烧温度
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请问： 有没有人知道二氧化硅做载体时，它的最佳焙烧温度是多少呀？？ 急寻！！！ 十分感谢！！！ |
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rabbit7708
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心虫
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buffaloli(金币+2,VIP+0):多谢！呵呵,辛苦了!
buffaloli(金币+2,VIP+0):多谢！呵呵,辛苦了!
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呵呵，焙烧温度主要取决于你用在何种反应中。 一般二氧化硅的比表面随焙烧温度增加会渐渐降低，特别是当焙烧温度高于800度时，同时孔径也会相应收缩； 另外，焙烧对二氧化硅表面羟基的影响较大，焙烧温度越高，会有越多B酸中心转化为L酸中心； 所以，针对不同反应，应采用不同的焙烧温度。 如果要使二氧化硅更好地涂覆于堇青石蜂窝陶瓷上，应该焙烧温度稍高一些，而且最好采用程序升温方法，缓慢升温。 常用的二氧化硅载体的焙烧温度为550度。 而且需要注意的是，二氧化硅载体，特别是硅胶载体在高温焙烧过程中容易炸裂，这个问题在前面的帖子中已经详细讨论过了，您可以搜索一下！：） 建议您做一组焙烧温度和焙烧时间的实验，那样自己会有一个更直观的感觉！：） [ Last edited by rabbit7708 on 2008-1-20 at 11:58 ] |
6楼2008-01-20 11:56:54
9jqshan
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2楼2008-01-19 11:00:16
fengjinjuan
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3楼2008-01-19 11:18:28
qm13426292146
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