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[交流] 急求二氧化硅载体最佳焙烧温度

请问：
有没有人知道二氧化硅做载体时，它的最佳焙烧温度是多少呀？？
急寻！！！
十分感谢！！！

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1楼 2008-01-19 10:51:32

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

rabbit7708

荣誉版主 (职业作家)

心虫

应助: 0 (幼儿园)
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在线: 5.9小时
虫号: 76692
注册: 2005-06-25
性别: GG
专业: 催化
管辖: 催化

★ ★
buffaloli(金币+2,VIP+0):多谢！呵呵,辛苦了!

呵呵，焙烧温度主要取决于你用在何种反应中。
一般二氧化硅的比表面随焙烧温度增加会渐渐降低，特别是当焙烧温度高于800度时，同时孔径也会相应收缩；
另外，焙烧对二氧化硅表面羟基的影响较大，焙烧温度越高，会有越多B酸中心转化为L酸中心；
所以，针对不同反应，应采用不同的焙烧温度。
如果要使二氧化硅更好地涂覆于堇青石蜂窝陶瓷上，应该焙烧温度稍高一些，而且最好采用程序升温方法，缓慢升温。
常用的二氧化硅载体的焙烧温度为550度。
而且需要注意的是，二氧化硅载体，特别是硅胶载体在高温焙烧过程中容易炸裂，这个问题在前面的帖子中已经详细讨论过了，您可以搜索一下！：）

建议您做一组焙烧温度和焙烧时间的实验，那样自己会有一个更直观的感觉！：）

[ Last edited by rabbit7708 on 2008-1-20 at 11:58 ]