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jnusysu

木虫 (小有名气)

[交流] 那里有可以查到半导体化合物能带间隙的数据库

现在非常想查到In2Se这种半导体化合物它的块体材料的直接能带间隙数据,
请问各位虫友,那里有合适的数据库可以查到?
 着急啊,先谢谢各位先
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爱山有路分为径,情海无涯缘作舟
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jnusysu

木虫 (小有名气)

谢谢指点啊
我要查的是In2Se的直接能带间隙啊,上面似乎是InSb的啊
爱山有路分为径,情海无涯缘作舟
5楼2008-01-17 15:15:06
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jnusysu

木虫 (小有名气)

也不限定一定是数据库,文献,书都可以的
谢谢啊,只要能查到数据
爱山有路分为径,情海无涯缘作舟
2楼2008-01-16 22:42:03
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wolfliu

木虫 (著名写手)

自信,诚信,求实,方法。

Temperature dependence of the energy gap for InSb
Eg = 0.24 - 6·10-4·T2/(T+500) (eV),
where T is temperatures in degrees K (0 < T < 300).

Energy gap  0.17 eV
不以求备取人,不以己长格物。
3楼2008-01-17 12:09:54
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wolfliu

木虫 (著名写手)

自信,诚信,求实,方法。

Temperature dependence of the energy gap for InSb
Eg = 0.24 - 6·10-4·T2/(T+500) (eV),
where T is temperatures in degrees K (0 < T < 300).
10后面的-4和T后面的2为上标。

Dependences on Hydrostatic Pressure
Eg≈Eg(0) + 13.7·10-3P - 3.6·10-5P2 (eV)
10后面的-3、-5和P后面的2为上标。

[ Last edited by wolfliu on 2008-1-17 at 12:14 ]
不以求备取人,不以己长格物。
4楼2008-01-17 12:10:50
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