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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术交流 » 半导体PN结的一些问题
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woshi0357

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
焦天鹏: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-01-19 09:38:11
焦天鹏: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-01-19 09:38:13
在靠近空间电荷区的p区边界，光生载流子(电子和空穴)“随机”向空间电荷区“运动”，电子进入空间电荷区在内建电场作用下向N区漂移，P边界形成一个电子浓度梯度，从而对P区有一个电子抽取的作用～即扩散电流；N中型区类似有；其他区域的光生载流子则直接被内建电场分离。

[ 发自小木虫客户端 ]
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Much more so!
11楼2014-01-19 01:49:26
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焦天鹏

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
11楼: Originally posted by woshi0357 at 2014-01-19 01:49:26
在靠近空间电荷区的p区边界，光生载流子(电子和空穴)“随机”向空间电荷区“运动”，电子进入空间电荷区在内建电场作用下向N区漂移，P边界形成一个电子浓度梯度，从而对P区有一个电子抽取的作用～即扩散电流；N中型 ...

请问一下这是基于统计物理得出的结果是吗？有那种浓度图可以直观看一下吗？

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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12楼2014-01-19 09:37:41
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omaha

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
焦天鹏: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-01-20 17:10:28
对于晶体硅电池，在P型硅片（200微米）的PN结区域大概50微米厚度，因此大部分可见光在P型基底，就是吸收层被吸收。以此光生E-H大部分在P型基底产生。
至于说把PN结做得很厚，这在工艺上有相当的难度。例如一般工艺是在P型硅片上扩散磷形成的pn结，必须加大扩散源的浓度和扩散时间才能深入扩散。随着扩散时间加长，靠近扩散源的部分已经反型成为N型，pn能推进到P
型硅片中，但是pn结的空间宽度不会扩大。
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13楼2014-01-20 16:12:16
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babycooltz

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

空间电荷区以外的少子，通过扩散，到达空间电荷区边缘，然后被电场扫入。有一个扩散长度的概念，就是结的厚度接近少子的一个扩散长度最好，否则，光生少子无法扩散到结附近，就被复合了。光电流是少子的作用，在结区内应该叫漂移电流。以上，是我的理解。
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14楼2014-11-17 23:05:04
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