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woshi0357

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
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焦天鹏: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-01-19 09:38:11
焦天鹏: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-01-19 09:38:13
在靠近空间电荷区的p区边界,光生载流子(电子和空穴)“随机”向空间电荷区“运动”,电子进入空间电荷区在内建电场作用下向N区漂移,P边界形成一个电子浓度梯度,从而对P区有一个电子抽取的作用~即扩散电流;N中型区类似有;其他区域的光生载流子则直接被内建电场分离。

[ 发自小木虫客户端 ]
Much more so!
11楼2014-01-19 01:49:26
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焦天鹏

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
11楼: Originally posted by woshi0357 at 2014-01-19 01:49:26
在靠近空间电荷区的p区边界,光生载流子(电子和空穴)“随机”向空间电荷区“运动”,电子进入空间电荷区在内建电场作用下向N区漂移,P边界形成一个电子浓度梯度,从而对P区有一个电子抽取的作用~即扩散电流;N中型 ...

请问一下这是基于统计物理得出的结果是吗?有那种浓度图可以直观看一下吗?

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
12楼2014-01-19 09:37:41
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omaha

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
焦天鹏: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-01-20 17:10:28
对于晶体硅电池,在P型硅片(200微米)的PN结区域大概50微米厚度,因此大部分可见光在P型基底,就是吸收层被吸收。以此光生E-H大部分在P型基底产生。
至于说把PN结做得很厚,这在工艺上有相当的难度。例如一般工艺是在P型硅片上扩散磷形成的pn结,必须加大扩散源的浓度和扩散时间才能深入扩散。随着扩散时间加长,靠近扩散源的部分已经反型成为N型,pn能推进到P
型硅片中,但是pn结的空间宽度不会扩大。
13楼2014-01-20 16:12:16
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babycooltz

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

空间电荷区以外的少子,通过扩散,到达空间电荷区边缘,然后被电场扫入。有一个扩散长度的概念,就是结的厚度接近少子的一个扩散长度最好,否则,光生少子无法扩散到结附近,就被复合了。光电流是少子的作用,在结区内应该叫漂移电流。以上,是我的理解。
14楼2014-11-17 23:05:04
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