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焦天鹏

铜虫 (小有名气)

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[求助] 半导体PN结的一些问题已有8人参与

在太阳能电池中，PN结分为P型电中性区、空间电荷区（即势垒区）、N型电中性区，光生载流子的分离是在空间电荷区完成的。那么P型电中性区以及N型电中性区的光生载流子是怎样被收集利用的？倘若不能收集，那么岂不是说太阳能电池PN结厚度做到跟空间电荷区差不多厚度的时候是最好的？还有光生电流到底是扩散电流还是漂移电流？希望大家不吝赐教。。。

[ Last edited by 焦天鹏 on 2014-1-17 at 16:40 ]

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1楼 2014-01-17 15:21:14

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omaha

银虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

★ ★
焦天鹏: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-01-20 17:10:28

对于晶体硅电池，在P型硅片（200微米）的PN结区域大概50微米厚度，因此大部分可见光在P型基底，就是吸收层被吸收。以此光生E-H大部分在P型基底产生。
至于说把PN结做得很厚，这在工艺上有相当的难度。例如一般工艺是在P型硅片上扩散磷形成的pn结，必须加大扩散源的浓度和扩散时间才能深入扩散。随着扩散时间加长，靠近扩散源的部分已经反型成为N型，pn能推进到P
型硅片中，但是pn结的空间宽度不会扩大。