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请教如何用电化学方法测试半导体的一些参数，谢谢！
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| 最近需要用电化学方法测量半导体材料的导带和价带，以及平带电势，不知使用哪种电化学技术，呵呵，望高手指点，万分感谢！ |
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4楼2008-01-11 21:00:49
augustgsp
木虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 2754.3
- 散金: 1
- 帖子: 847
- 在线: 4.7小时
- 虫号: 33598
- 注册: 2004-01-02
- 性别: GG
- 专业: 薄膜材料
2楼2008-01-11 06:04:45
3楼2008-01-11 08:51:49
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martintienwoo(金币+1,VIP+0):3ks
martintienwoo(金币+1,VIP+0):3ks
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看了一些文献和书籍，马上就要实验了，呵呵，还有一些问题请教，谢谢！ 1. 关于半导体的能带结构：我打算用电化学方法（Mott-Schotty plot、CV[这个我不大懂，能否提供解释和文献，是否为非光照条件下的电流与施加电势曲线？）测量flat-potential（ Efb），紫外测定带宽Eg；其实也可以用光谱电化学的方法一次得到Efb和Eg。但是我现在对于知道Efb和Eg如何确定Ecb和Evb不太明白。同时对于Efb和费米能级什么关系也晕了，有一篇文献说直接Efb=Ecb了，也有的说平带状态下费米能级=Efb...... 2. 制作半导体膜ITO电极的时候非半导体膜部分在电化学的时候是直接浸入到电解液中还是用环氧之类密封的？各有什么利弊，我知道最好环氧密封一下所谓的free area但是环氧粘乎乎的，似乎也不大好弄：（不知大家在实验的时候怎么处理这个问题的，呵呵 还请高手不吝赐教，万分感谢！ [ Last edited by nano_st on 2008-2-5 at 05:59 ] |
5楼2008-02-05 05:57:48
