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【Nature communication】顺电体畴壁中的铁电性---可做存储材料
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Ferroelectric materials are heavily used in electro-mechanics and electronics. Inside the ferroelectric, domain walls separate regions in which the spontaneous polarization is differently oriented. Properties of ferroelectric domain walls can differ from those of the domains themselves, leading to new exploitable phenomena. Even more exciting is that a non-ferroelectric material may have domain boundaries that are ferroelectric. Many materials possess translational antiphase boundaries. Such boundaries could be interesting entities to carry information if they were ferroelectric. Here we show first that antiphase boundaries in antiferroelectrics may possess ferroelectricity. We then identify these boundaries in the classical antiferroelectric lead zirconate and evidence their polarity by electron microscopy using negative spherical-aberration imaging technique. Ab initio modelling confirms the polar bi-stable nature of the walls. Ferroelectric antiphase boundaries could make high-density non-volatile memory; in comparison with the magnetic domain wall memory, they do not require current for operation and are an order of magnitude thinner. 铁电体中，畴壁将具有不同极化方向的畴隔离开来。具有与畴不同的性质的畴壁是一个有待研究的区域。本文用电子显微镜和egative spherical-aberration成像技术发现并确定了非极性顺电体中的antiphase boundaries的铁电性。 Ferroelectric antiphase boundaries 可以用来开发做高能存储器，与磁性畴壁存储器相比，这类存储器不需要操作电流，而且更薄 |
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2014-01-10 23:51:17, 1.31 M
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