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| 半导体超晶格的基本性质有哪些？哪位可以给讲讲哇 |
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qw905
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4楼2014-02-10 14:10:54
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
华丽的飘过: 金币+3, 3q 2014-01-07 00:17:04
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华丽的飘过: 金币+3, 3q 2014-01-07 00:17:04
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由一组多层薄膜周期重复排列而成的单晶。 多层薄膜中各层厚度从几个到几十个原子层范围。各层的主要半导体性质如带隙和掺杂水平可以独立地控制。多层薄膜的周期可以在生长时人为控制，因而得到了人造的晶体结构即超晶格。多层薄膜中各层的组分突变的超晶格称为组分调制超晶格；各层掺杂原子型号发生突变的超晶格称掺杂调制超晶格。组分调制超晶格的能带图与多量子阱类似，惟一的区别是超晶格中由于势垒层厚度小于电子的德布罗意（de Broglie）波长，相邻势阱中的电子波函数发生交叠，因而多量子阱的离散能级将展变为能带，其能带宽度及位置与势阱深度、宽度及势垒厚度有关。超晶格具有一些普通半导体中没有发现的有用性质。 http://www.doc88.com/p-732455236447.html |
2楼2014-01-06 11:00:24
3楼2014-01-06 22:00:06