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RXMCDM

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【答案】应助回帖

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浪淘沙ysxysb: 金币+40, 翻译EPI+1, ★★★★★最佳答案, 谢谢 2014-01-03 22:11:08

图14 (a) 为2000 Oe测量得到的四氧化三钴纳米管直流磁化率的温度依赖性。插图示出了1 / x-----T曲线，其中实线由居里---外斯定律拟合而得。（b）四氧化三钴纳米管的磁化在1.8 K的磁场依存性。插图显示的是放大后的M-H磁滞回线。
图15（a）为S-Co，D-Co和总钴的第一个周期放电 - 充电曲线。(b)充电容量随循环次数和3种制备样品及商品（市售）Co3O4（C-Co）在3 伏到10毫伏C /5(178毫安/克？）电流率的相对库仑效率。
图16为锂离子进入脱离过程中多壳空心球的结构变化过程。
图17（a）放电容量随循环次数和2种制备的样品在3 V到10毫伏C / 5（178毫安/克）电流率库仑效率。（b）系统说明在锂离子的加入---脱出过程中核 - 壳及空心球的结构变化。
图18（a）为Co3O4循环伏安纳米管在6摩尔/升KOH电解质和5（a）、10（b）、20（c）和50（D）mV / s时的不同扫描速度。（b）四氧化三钴纳米管在6 mol / L的KOH溶液和0.1（a）、0.2（b）、0.5（c）和1（d）A / g的恒电流放电曲线。（c）四氧化三钴纳米管在0.1 A/g周期的比电容依赖。（d）一个四氧化三钴纳米管电极阻抗图。
专业词汇你自己再对一下！温度依赖性Temperature dependence ，the Curie–Weiss law居里---外斯定律，M-H磁滞回线M–H hysteresis loop， insertion–extraction进入脱离，Dependence of specific capacitance比电容依赖

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？

8楼2014-01-03 20:25:05

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