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如何确定半导体纳米材料异质结的能带排列？
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我们都知道可以用UPS或XPS确定薄膜异质结上的能带偏离（band alignment），也知道可以通过一些第一性原理计算获得较为粗略的理论值，但对 于纳米异质结如何测量呢？比如纳米TiO2和Ag3PO4的复合光催化剂，知道其能带排列（偏离）对于设计优良的光催化剂是否重要啊？如何才可以解决？ |
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