| 查看: 344 | 回复: 0 | ||
zhuzhen木虫 (正式写手)
|
[求助]
非掺杂InP薄膜的背景载流子来源
|
| 有没有做InP薄膜或者晶体的朋友，问一下，MOCVD方法生长的非故意掺杂InP薄膜，为n型导电，电子浓度1e15~16。那浅施主杂质来源于什么呢？有没有相关的论文介绍 |
回复此楼» 猜你喜欢
2026年WR青拔进展
已经有7人回复
-
职称论文投稿
已经有11人回复
-
中！中！中！
已经有10人回复
-
会评什么时候开始？
已经有4人回复
-
国自然申请五篇代表作大比拼，感觉这个是最重要的
已经有12人回复
-
无聊看看时间戳打发时间
已经有4人回复
-
咨询
已经有3人回复
-
基于自然哲学类比的风化壳型稀土矿
已经有14人回复
-
评委有多少概率知道其他专家手中有哪些人的本子？
已经有6人回复
-
求推荐期刊，重谢
已经有3人回复