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zhuzhen木虫 (正式写手)
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非掺杂InP薄膜的背景载流子来源
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| 有没有做InP薄膜或者晶体的朋友，问一下，MOCVD方法生长的非故意掺杂InP薄膜，为n型导电，电子浓度1e15~16。那浅施主杂质来源于什么呢？有没有相关的论文介绍 |
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