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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » C包覆SnO2的带隙变窄
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小欣518

木虫 (小有名气)

[求助] C包覆SnO2的带隙变窄 已有2人参与

本人做了C包覆的SnO2纳米材料，发现其带隙变窄，有哪位能解释一下这是为什么？谢谢！
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1楼 2013-12-15 10:38:51
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blackstar117

金虫 (小有名气)
是不是掺杂了？因为TiO2掺杂了C之后黛西就变窄了。
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2楼2013-12-15 10:50:42
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yuan999

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
很可能的，杂质进入SnO2带隙中，成为中间能级
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我~心~依~旧
3楼2013-12-16 09:19:53
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小欣518

木虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by yuan999 at 2013-12-16 09:19:53
很可能的，杂质进入SnO2带隙中，成为中间能级

可是各种测试显示C没有进入到SnO2的晶格之中，只是表面包覆了一层，这样是为什么呢？
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4楼2013-12-17 18:18:32
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小欣518

木虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by yuan999 at 2013-12-16 09:19:53
很可能的，杂质进入SnO2带隙中，成为中间能级

可是各种测试显示C没有进入到SnO2的晶格之中，只是表面包覆了一层，这样是为什么呢？
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5楼2013-12-17 18:19:00
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小欣518

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by blackstar117 at 2013-12-15 10:50:42
是不是掺杂了？因为TiO2掺杂了C之后黛西就变窄了。

没有掺杂，只是包覆
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6楼2013-12-17 18:19:32
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yuan999

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

引用回帖:
6楼: Originally posted by 小欣518 at 2013-12-17 18:19:32
没有掺杂，只是包覆...

包覆也有可能形成中间能级，以前看过几个文献报道，在半导体表面涂覆一层其它材料，其性能发生很大变化，解释为涂覆物在半导体中形成中间能级
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我~心~依~旧
7楼2013-12-18 09:56:03
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blackstar117

金虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 小欣518 at 2013-12-17 18:19:00
可是各种测试显示C没有进入到SnO2的晶格之中，只是表面包覆了一层，这样是为什么呢？...

你用什么测试方法呢？XPS？XPS都有C峰的，无法判别C是不是进到SnO2里面了。你用拉曼或者红外看看~
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8楼2013-12-22 19:48:54
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kongjzh

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

UV-vis分析带隙
XRD进行精修，再分析晶格参数
有可能形成半导体异质结
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9楼2013-12-23 09:45:20
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小欣518

木虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by blackstar117 at 2013-12-22 19:48:54
你用什么测试方法呢？XPS？XPS都有C峰的，无法判别C是不是进到SnO2里面了。你用拉曼或者红外看看~...

拉曼和红外都测过了，确实没进入晶格
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10楼2013-12-24 13:45:41
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