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shaibin1

铜虫 (小有名气)

[求助] 探测器结构设计

大家好:
我是做半导体材料的,用飞秒激光对硅材料进行改性,俗称黑硅,材料具有光谱高效吸收和亚能级吸收,主要可应用领域是太阳能电池和光电探测器,
最近我一之在想几个关于期间设计的问题:
1,关于电极设计的问题,材料表面经过照射后会有有尖峰状结构,表面钝化选择用SiN4,但是不知道遂穿厚度是多厚?听说有公式可计算??
2,电极形成欧姆接触,仅仅靠加热退火(快速退火400摄氏度)行不行?还是一定形成重掺杂才行?
谢谢!!!
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