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探测器结构设计
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大家好： 我是做半导体材料的，用飞秒激光对硅材料进行改性，俗称黑硅，材料具有光谱高效吸收和亚能级吸收，主要可应用领域是太阳能电池和光电探测器， 最近我一之在想几个关于期间设计的问题： 1，关于电极设计的问题，材料表面经过照射后会有有尖峰状结构，表面钝化选择用SiN4，但是不知道遂穿厚度是多厚？听说有公式可计算？？ 2，电极形成欧姆接触，仅仅靠加热退火（快速退火400摄氏度）行不行？还是一定形成重掺杂才行？ 谢谢！！！ |
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