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高斯输入文件中自旋多重度的决定
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本人是高斯的初学者,对input文件里自旋多重度的设定多少有点不太明白,问问版上的前行者. 多重度是单电子数加上1是吧,本人的研究领域是phthalocyanine,也就是酞青,卟啉环系列.这种大配体中间可以络合金属离子.那二价锌的话是1没问题,二价镍的话应该是3吗? 按1的情况算出来的空间优化构型中,两个离子键跟两个配位键都可以显示出来,但是按3的情况算的话只显示两个离子键.优化好的构型里应该配位键也是要显示出来的吧. 有点不明白现在,到底多重度按3来算好呢,还是其实没多大关系,按1就行了.关键是后面还要算激发态跟单点能,弄不清楚这个后面的计算也没法进行. 望大家不吝赐教.谢谢. [ Last edited by zzgyb on 2008-1-10 at 12:08 ] |
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shalene
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感谢楼上回复 ![]() 那就是说按1的情况来算其实就可以了吧 确实有很多关于酞菁的计算文献,也有关于镍的啊,过渡金属的酞菁,卟啉系列好像是研究最多的吧,当然山大姜老师的实验室研究稀土金属系列的多一点. 好像现在都是用TDDFT方法算酞菁系列的激发态 对了,还有一个问题,就是算出的激发态里,例如: Excited State 1: Singlet-A 1.6825 eV 736.88 nm f=0.3026 170 ->177 0.17762 172 ->173 0.54106 172 ->174 -0.12029 粗斜体部分的具体意义是什么啊,还有计算各个轨道占激发跃迁的贡献百分比时正负号是否没有影响,将正数部分相加就行了. |

3楼2007-12-24 11:37:24













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