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静哥哥

铁杆木虫 (著名写手)

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[资源] science：铜表面氧含量对石墨烯形核、生长的影响

石墨烯的合成一直是基础研究的前沿，最近，University of Texas at Austin 的Prof. Rodney S. Ruoff小组在science上发文阐述了铜表面氧原子量对石墨烯的形核、生长的影响。
   为什么产生的石墨烯——即单原子厚度的碳层，它已经成为纳米尺度研究的主干——在每个实验室之间会有如此显著的差异？传统上，铜表面一直被用作生长石墨烯的支架，但一项新的研究显示，在这些铜表面的氧含量可影响石墨烯生长的大小和速度。具体地说，Yufeng Hao及其同事发现，在铜表面的氧原子会中断石墨烯的成核并会特别促使大型的具有粗糙、多分支边缘的石墨烯晶体的生长。他们说，或者，将氧原子从铜表面去除可带来更紧凑的具有锋利边缘的晶体的生长。Hao及其他的研究人员在不同的时间长度里让不同的铜表面与氧接触以观察在它们上面生长的石墨烯晶体之间的差异。正如所预计的，铜表面接触氧气的时间越长，其上所生长的石墨烯晶体的速度就越快且越大。据研究人员披露，这些石墨烯晶体的品质——无论其是在无氧或富氧表面生长的——与机械剥离的、符合工业标准的石墨烯晶体的品质相似。基于他们的发现，他们提示——连同改变气体压力及让铜表面变光滑——用氧来处理铜表面可以是科学家们用来调整石墨烯晶体生长的另外一种方法。引自http://chinese.eurekalert.org/zh ... /aaft-ggc102113.php。

   文章以及附件附后！

氧对石墨烯形核、密度、晶粒形貌的影响.jpg

氧对石墨烯生长动力学的影响.jpg

光学图片展示.jpg

电输运测试.jpg

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附件 1 : The_Role_of_Surface_Oxygen_in_the_Growth_of_Large_Single-Crystal_Graphene_on_Copper.pdf

2013-11-15 09:11:42, 1.3 M

附件 2 : supporting.pdf

2013-11-15 09:11:53, 1.65 M

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