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dx0620

木虫 (正式写手)

[求助] 在高压下用vasp进行计算时,赝势文件的选取(小红花备用~)

RT,在高压下用vasp进行计算时,应该如何选取赝势文件啊,比如O的话有_h,Ga的话有_d、_h的,我要如何确定是在多大压力下选取哪种赝势文件啊?
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dx0620

木虫 (正式写手)

引用回帖:
12楼: Originally posted by wangfly2009 at 2013-11-18 17:36:44
亲 你觉得做计算好还是做理论好?我是做高压实验的 着实羡慕你们  一算就出来了

各有各的好处吧,我也做过高压,做实验是身体累,做理论的话,感觉太耗脑力了,一对电脑对一天
13楼2013-11-24 20:52:02
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shihuangzhe

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
identation: 金币+2, 谢谢交流 2013-11-11 16:35:02
dx0620: 金币+2, 有帮助 2013-11-11 21:09:30
应尽量选取截断半径小的,有半核电子的。你可以看看赝势文件里面的信息。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
2楼2013-11-11 13:25:11
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dx0620

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by shihuangzhe at 2013-11-11 13:25:11
应尽量选取截断半径小的,有半核电子的。你可以看看赝势文件里面的信息。

可否详细一些,在哪里看截断半径?哪里有注明有半核电子?还有最后一个问题,谢谢您了~
3楼2013-11-11 14:52:12
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shihuangzhe

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
franch: 金币+2, 鼓励交流。 2013-11-11 22:57:17
在赝势文件中看,最后一个问题我上面回答过了。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
4楼2013-11-11 18:59:58
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