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CVD生长ZnO，管壁和舟上都有，但无法沉积到基片上？
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双温区管式炉热蒸发，Zn源600-800度，沉积区400-600度，载气Ar+O2约200sccm，基片为玻璃和硅片。 陶瓷舟、刚玉舟、管壁都能沉积上白色膜，但基片上很难，请教为何？ 基片清洗非常干净，有机溶剂和酸液依次超声过。 |
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hngstephen
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