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yl0922

银虫 (正式写手)

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[求助] 贵金属负载P型半导体光催化机理

对于贵金属-半导体复合物，如Pt-TiO2，Ag-ZnO，通常我们都说贵金属可以作为电子受体接受n型半导体上的光生电子，促进了载流子分离，从而提高了光催化活性。贵金属与半导体之间的界面势垒方面的机理图也看到了很多。
想问下虫子们，如果是p型半导体呢？贵金属是否也是电子载体，还是说要根据金属盒半导体的功函数，有没有相关贵金属-p型半导体光催化的文献，最好有机理图可参考。有文献的一次给10金币作为答谢.

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1楼 2013-10-02 21:01:53

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yunjuncao

木虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

★ ★
王晓萌: 金币+2, 谢谢分享，欢迎常来！ 2013-10-06 10:47:46

首先说一下，即使对于n型半导体而言，负载金属的催化机理也是众说纷纭，很多体系甚至不需要光就能催化，电荷转移（正电，负电金属离子），尺寸效应，未饱和金属键，界面效应，团簇形状（伍尔夫多面体）等等都有影响，对于你说的Pt-TiO2还有金属载体强相互作用等（大概是70年代的一篇science）。对于p型半导体，上述很多原因依然有作用，金属是否是电子载体，依赖于半导体与金属团簇的能级的相对位置，团簇不同大小能级还有所不同， Cu2O, CoO等都是典型的p型半导体，像Bi2Te3这种拓扑绝缘体也是，只不过在拓扑绝缘体里做光催化，我反正想都不敢想。文献的话非常的多，具体看你研究什么体系，直接搜就可以了