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cometring

木虫 (著名写手)

爱你就等于爱自己

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专业: 催化化学

[交流] 请教关于MS castep的几个问题

希望各位大侠帮忙，
1 计算表面过程中，计算成功，但是castep结果中提示

------------------------------------------------------------------------ <-- SCF
SCF loop    Energy          Fermi          Energy gain    Timer <-- SCF
                           energy       per atom       (sec) <-- SCF
------------------------------------------------------------------------ <-- SCF
Initial  -1.24983546E+004  5.76278315E+001                      55.44  <-- SCF
   1  -1.59703259E+004 -1.69750335E+000 2.89330938E+002    197.97  <-- SCF
Warning: There are no empty bands for at least one kpoint and spin; this may slow the convergence and/or lead to an inaccurate groundstate. If this warning persists, you should consider increasing nextra_bands and/or reducing smearing_width in the param file. Recommend using nextra_bands of 11 to 24.

   2  -1.62762609E+004 -6.23532889E+000 2.54945870E+001    356.62  <-- SCF
Warning: There are no empty bands for at least one kpoint and spin; this may slow the convergence and/or lead to an inaccurate groundstate. If this warning persists, you should consider increasing nextra_bands and/or reducing smearing_width in the param file.Recommend using nextra_bands of 11 to 24.

2  要在表面上吸附小分子，如H2 ，或者CO，可以选择不同的位置，比如top, bridge, 等，但是如何确定具体每个原子的position? 直接根据原子半径按照几何知识来计算吗？另外在计算表面吸附total energy的时候，是否选择上"optimized cell" ?
如果不选择，就应该是每个原子的位置保持固定，那么如何知道所确定的吸附原子的位置是对的呢？

3 进行计算时选择上"spin polarized", 对于不同元素，其参数如何设置？"initial pin"和"charge"。


请各位高手不吝赐教！金币不够可以再加

[ Last edited by zzgyb on 2007-12-3 at 14:12 ]

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与超版斗，其乐无穷；与斑竹斗，其乐无穷；与虫子斗，其乐无穷。

1楼 2007-11-28 16:49:22

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

yhjiangshiyu

木虫 (正式写手)

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专业: 理论和计算化学

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vzhang77(金币+5,VIP+0):多谢热心交流！：）
cometring(金币+15,VIP+0):谢谢!

我讲讲我做化学表面反应计算的步骤吧：
1 晶胞优化；就是搭建你要的基底晶胞并进行优化，这个时候选中optimized cell，这时会给你优化的晶胞参数，以后就不要在去管了；
2 切面：一般是切低指数表面，优化表面后计算表面能.表面切几层，这要根据实际情况分析，我上面说过，层数越多计算量越大，同时还要看你固定几层，这个楼上的说得比较详细，只是我看了下文献，好像两个表面的比较少。一般表面能越低，表面越稳定。
3 吸附：把吸附原子或分子放到目标基底上，这个初始结构很重要，给得好则很快收敛，否则收敛很慢甚至不收。初始构型也要多方面考虑，各个吸附位各种吸附构型还有不同基底等等。
一般最好是先算构型优化，再算能量及DOS等其它性质，计算速度要快一点吧。至于其它参数例如自旋（看你的体系有没有单电子）等的设置，一般参考文献就好。