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zhuoxiurong金虫 (小有名气)
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[交流]
请教晶体生长问题
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请问晶体生长的外部因素有哪些?各因素对晶体生长的影响作用?谢谢! |
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zhuoxiurong(金币+1,VIP+0):谢谢你的回答,很全面.
zhuoxiurong(金币+1,VIP+0):谢谢你的回答,很全面.
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外部物理化学条件对晶体生长的影响 1.结晶温度越高，晶体越完善。 2.结晶溶液越稀越好 3.有晶种结晶速度会加快。 4.较慢的冷却速度。要想得到完善的晶体当然条件还有很多，得到完善的单晶是很不容易的 晶体长得越快就越小，缺陷越多。那么为了让晶体生长的慢而完整，就应该从溶剂的纯度，温度，周围环境的干扰（防尘）等方面多考虑. 从低温（室温到70℃左右）溶液中生长晶体是一种最古老的方法。由于近代科学技术发展的需要，要求从低温溶液中培育出各种高完整性的大晶体.而决定晶体生长外形的因素，除了内部结构因素外，还存在外部物理化学条件的影响。它不仅影响到晶体生长外形，而且有时还能影响到晶体内部结构的变化。 过饱和度：从溶液中生长晶体的最关键的因素是控制溶液的过饱和度，晶体只有在过饱和溶液中生长才能确保其质量。过饱和度大，一次形成的晶核多，晶体颗粒小。晶体在低饱和度下生长时，速度较慢，适当增加过饱和度，晶体生长速度增快有利于晶体的自提取作用和晶形简化。要使晶粒长大，可用籽晶进行再结晶或长时间放置，或利用蒸汽扩散法，使过饱和度缓慢地变化。 溶剂：选择恰当的溶剂是培养晶体的重要因素。如果单纯使用乙醇或蒸馏水均无法培养出合适的单晶，较好的溶剂是乙醇-水溶剂，且水的量应大于乙醇。 温度： 生长温度对晶体的习性和质量的影响可以认为是改变晶体生长各个过程的激活能。由于温度恒定，晶体的应力较小，但很难控制蒸发量，故用此法较难长成大块的单晶体。温度的变化导致晶体各个晶面相对生长速率的变化，从而改变晶体的生长外形。 杂质：杂质的影响包括晶体学、动力学和热力学等方面的效应，它可以影响溶解度和溶液的性质，会显著地改变晶体的结晶习性，对晶体的质量也有影响。如果把溶剂看成杂质，也可以归结于杂质变化的影响。随着杂质的种类及其含量的不同，影响也有差异。合成中的加入极少量水以改变溶解度和溶液的黏度，有利于晶体生长；而实验中絮状晶体就有可能是由杂质所引起的。所以，实验过程中所使用的药品和仪器均要保持洁净，溶液也不要暴露在空气中。 PH值: 溶液中氢离子浓度对晶体生长的影响是较为显著的。如果溶液PH值调节不适合，即使是其它生长条件合适，也长不出所需尺寸的好晶体。PH值的影响相当复杂，包括通过影响溶解度,改变杂质活性等间接或直接影响晶体生长。 此外，还有液流等影响因素。 [ Last edited by 大地飞鸽 on 2007-11-26 at 01:43 ] |
6楼2007-11-26 01:38:20
gsj2006
铜虫 (初入文坛)
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2楼2007-11-25 19:58:27
3楼2007-11-25 22:11:59
cjz_2008
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温度很重要啊， 溶剂的纯度、挥发性！ 4楼2007-11-25 22:32:04
