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MEMS里面的压电材料AlN和PZT哪个用的比较多?
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zhangfengxmu
铁杆木虫
(正式写手)
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虫号: 440399
[交流]
MEMS里面的压电材料AlN和PZT哪个用的比较多?
请高手普及一下,MEMS里面的压电材料AlN和PZT,哪个用的比较普遍,为什么?谢谢!
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2013-09-16 08:19:35
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大水杯
木虫
(著名写手)
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(幼儿园)
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帖子: 2898
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虫号: 1501401
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
zhangfengxmu(金币+1): 谢谢参与
zhangfengxmu: 金币+8
2013-09-18 21:57:44
高频器件AlN用的比较多,特别像薄膜体声波谐振器,但是要做压力传感器之类的低频器件时,PZT用的较多,因为AlN的压电常数相对PZT而言小多了,而且比ZnO还小,但AlN唯一的优点就是稳定,而且相对PZT而言,其内部的极化损耗低,特别适合于高频器件。
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35楼
2013-09-18 21:56:30
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jeremyfrc
木虫
(正式写手)
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(高中生)
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帖子: 486
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虫号: 1728809
★ ★
zhangfengxmu(金币+1): 谢谢参与
zhangfengxmu: 金币+1
2013-09-16 14:00:49
貌似是PZT,AlN用的不如PZT多。
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2楼
2013-09-16 10:22:02
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道远58
新虫
(正式写手)
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(小学生)
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帖子: 535
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虫号: 1424283
★ ★ ★ ★ ★ ★
zhangfengxmu(金币+1): 谢谢参与
zhangfengxmu: 金币+5, 鼓励回帖
2013-09-16 14:00:39
PZT的压电性能比AlN好 但如果是薄膜的话 PZT制备难度要大于AlN,且成本更高
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4楼
2013-09-16 11:11:18
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