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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » MEMS里面的压电材料AlN和PZT哪个用的比较多？
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zhangfengxmu

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] MEMS里面的压电材料AlN和PZT哪个用的比较多？

请高手普及一下，MEMS里面的压电材料AlN和PZT，哪个用的比较普遍，为什么？谢谢！
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1楼 2013-09-16 08:19:35
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大水杯

木虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
zhangfengxmu(金币+1): 谢谢参与
zhangfengxmu: 金币+8 2013-09-18 21:57:44
高频器件AlN用的比较多，特别像薄膜体声波谐振器，但是要做压力传感器之类的低频器件时，PZT用的较多，因为AlN的压电常数相对PZT而言小多了，而且比ZnO还小，但AlN唯一的优点就是稳定，而且相对PZT而言，其内部的极化损耗低，特别适合于高频器件。
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35楼2013-09-18 21:56:30
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)
★ ★
zhangfengxmu(金币+1): 谢谢参与
zhangfengxmu: 金币+1 2013-09-16 14:00:49
貌似是PZT，AlN用的不如PZT多。
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2楼2013-09-16 10:22:02
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道远58

新虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★
zhangfengxmu(金币+1): 谢谢参与
zhangfengxmu: 金币+5, 鼓励回帖 2013-09-16 14:00:39
PZT的压电性能比AlN好 但如果是薄膜的话 PZT制备难度要大于AlN，且成本更高
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4楼2013-09-16 11:11:18
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