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[求助] SiON层提高稀土掺杂SiO2发光器件的电学稳定性

看了南开大学孙甲明老师做关于硅基电池方面的工作。对于MOSLED的工作原理不是很了解，请同学们指点一二。我看应该跟MOSFET结构差不多。
另外对于图片一所示，怎么看出来随SiON层厚度增加阈值电压会出现负值，进而说明SION层中含有positive charge?

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1楼 2013-09-14 15:12:51

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Figure 2中给出了三个小图，最上面的是伏安特性曲线（SiON层厚度不断变化）另外是电致发光强度（EL）跟外加电压（V）和电流（I）的关系，可以看出EL随电压变化过程中，SiON厚度影响比较大。而相对较来说，EL随电流的变化就受SiON厚度的影响就非常小。我想知道这有什么意义？文章是说通过这种先进的复合介质栅技术提高稀土掺杂SiO2发光器件的寿命，耐击穿特性，injection current density.....

鍥剧墖2.jpg

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2楼2013-09-14 15:22:38

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论文名：Giant stability enhancement of rare-earth inplanted SiO2 light emitting devices by additional SiON protection layer

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3楼2013-09-14 15:24:32

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