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静哥哥

铁杆木虫 (著名写手)


[资源] 过渡金属VI二硫化物谷电子学文献整理

过渡金属VI二硫化物,以单层二硫化钼为例,由于其对结构的称性破缺以及较强的自旋轨道耦合效应,导致 K谷和k‘谷对左旋和右旋圆偏振光的吸收具有选择性,因此为谷电子学提供了基础。
附件中我收集了几篇看过的文献,都是关于调制谷极化的文献,大家可以看看,挺有意思。过渡金属VI二硫化物谷电子学文献整理
111.png


过渡金属VI二硫化物谷电子学文献整理-1
2222.png
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放开那位大娘

新虫 (正式写手)


引用回帖:
37楼: Originally posted by 啥BING at 2014-10-08 22:44:16
掺杂金属应该就是为了破坏graphene的空间对称性,由此产生berry curvature effect...

磁性掺杂可以破坏时间反演对称,berry curvature是所有材料都存在的性质
38楼2014-10-11 11:30:06
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牛小问

金虫 (著名写手)


★★★★★ 五星级,优秀推荐

理论很深 对于化学出身的 很难!
14楼2013-09-13 13:13:46
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2013-09-10 21:49   回复  
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林紫6楼
2013-09-10 22:26   回复  
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zjjxl8楼
2013-09-11 06:21   回复  
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aaq28009楼
2013-09-11 09:25   回复  
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bll12725710楼
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yuan99911楼
2013-09-11 10:38   回复  
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2013-09-11 17:12   回复  
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wjy201113楼
2013-09-11 19:35   回复  
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