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Ge/SiB的core-shell nanowires 材料用来做transistor,怎么提取出nanowires
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我是用CVD的方法来制作Ge/SiB的core-shell nanowires 材料，substrate是硅 然后想提取nanowires出来用来做transistor, 可以怎么能很好的提取出nanowires。 我老板的办法是，把切小块的材料，放到一个叫装了ipa的液体的小管子，再放到超音波的里打散来。 然后再用滴灌，滴在si为底上面覆盖200nm SiO2的基板上，再在lamp下烘干。 再SEM下看，nanowires都很短，在0.5~2um之间。2点左右的几乎没有，发现一条就很难得了，万一形态不好也不能用。 排除原来生成的nanowire就不好的这种原因，再sem下看有密林一般的nanowire 求各位大神，有什么好的方法可以取得好的nanowires么。 |
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