| 查看: 254 | 回复: 0 | ||
[求助]
Ge/SiB的core-shell nanowires 材料用来做transistor,怎么提取出nanowires
|
|
我是用CVD的方法来制作Ge/SiB的core-shell nanowires 材料，substrate是硅 然后想提取nanowires出来用来做transistor, 可以怎么能很好的提取出nanowires。 我老板的办法是，把切小块的材料，放到一个叫装了ipa的液体的小管子，再放到超音波的里打散来。 然后再用滴灌，滴在si为底上面覆盖200nm SiO2的基板上，再在lamp下烘干。 再SEM下看，nanowires都很短，在0.5~2um之间。2点左右的几乎没有，发现一条就很难得了，万一形态不好也不能用。 排除原来生成的nanowire就不好的这种原因，再sem下看有密林一般的nanowire 求各位大神，有什么好的方法可以取得好的nanowires么。 |
回复此楼» 猜你喜欢
拟解决的关键科学问题还要不要写
已经有8人回复
-
26申博
已经有3人回复
-
存款400万可以在学校里躺平吗
已经有22人回复
-
最失望的一年
已经有4人回复
-
国自然申请面上模板最新2026版出了吗？
已经有19人回复
-
请教限项目规定
已经有3人回复
-
基金委咋了？2026年的指南还没有出来？
已经有10人回复
-
基金申报
已经有6人回复
-
推荐一本书
已经有13人回复
-
疑惑？
已经有5人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
