| 查看: 264 | 回复: 0 | ||
[求助]
Ge/SiB的core-shell nanowires 材料用来做transistor,怎么提取出nanowires
|
|
我是用CVD的方法来制作Ge/SiB的core-shell nanowires 材料，substrate是硅 然后想提取nanowires出来用来做transistor, 可以怎么能很好的提取出nanowires。 我老板的办法是，把切小块的材料，放到一个叫装了ipa的液体的小管子，再放到超音波的里打散来。 然后再用滴灌，滴在si为底上面覆盖200nm SiO2的基板上，再在lamp下烘干。 再SEM下看，nanowires都很短，在0.5~2um之间。2点左右的几乎没有，发现一条就很难得了，万一形态不好也不能用。 排除原来生成的nanowire就不好的这种原因，再sem下看有密林一般的nanowire 求各位大神，有什么好的方法可以取得好的nanowires么。 |
回复此楼» 猜你喜欢
今年春晚有几个节目很不错，点赞！
已经有11人回复
-
情人节自我反思：在爱情中有过遗憾吗？
已经有11人回复
-
体制内长辈说体制内绝大部分一辈子在底层，如同你们一样大部分普通教师忙且收入低
已经有12人回复
-
过年走亲戚时感受到了所开私家车的鄙视链
已经有9人回复
-
基金正文30页指的是报告正文还是整个申请书
已经有5人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
