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把这句话翻译成比较好的中文啊，要意译
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1。We introduce a new class of spintronic devices in which a spin-valve-like effect results from strong spin-orbit coupling in a single ferromagnetic layer rather than from injection and detection of a spin-polarized current by two coupled ferromagnets. 2。pay special attention to distinguishing tunneling AMR and anisotropic tunneling magnetoresistance. The explored structure above has two ferromagnetic layers, where the spin injection may occur, and therefore it should belong to the latter [ Last edited by 柠檬树 on 2013-9-8 at 11:12 ] |
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2楼2013-09-08 11:59:14
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
柠檬树: 金币+5, 翻译EPI+1, ★★★★★最佳答案, 我是想帮我把那两句话翻译成中文的哟 虽然不是想得到的 但这么详细还是很感谢啊 2013-09-08 20:20:13
柠檬树: 金币+5, 翻译EPI+1, ★★★★★最佳答案, 我是想帮我把那两句话翻译成中文的哟 虽然不是想得到的 但这么详细还是很感谢啊 2013-09-08 20:20:13
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2；区分ATMR和TAMR anisotropic tunneling magnetoresistance：ATMR tunneling anisotropic magnetoresistance：TAMR 论文地址：https://www.researchgate.net/pub ... ic_tunnel_junctions 或者见附件（附件传不上，还是看上面的地址吧，也是全文的） 隧道效应：量子力学中粒子穿过似乎无法穿透的屏障且用非量子物理学无法解释原因 隧道各向异性磁电阻效应 FR: https://www.mse.tsinghua.edu.cn/ ... 5007440827917_.html AMR 异向磁阻(Anisotropic magnetoresistance, AMR) ；有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。 穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance, TMR) ；穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。 https://en.wikipedia.org/wiki/Ma ... esistance_.28AMR.29 https://baike.baidu.com/view/7972.htm#6 2，Tunnel injection 隧道注入 ；Tunnel injection is a field electron emission effect（场致电子发射）; specifically a quantum process called Fowler–Nordheim tunneling, whereby charge carriers are injected to an electric conductor through a thin layer of an electric insulator. It is used to program NAND flash memory. The process used for erasing is called tunnel release. An alternative to tunnel injection is the spin injection. See also: Hot carrier injection ；https://en.wikipedia.org/wiki/Tunnel_injection ；https://dict.cnki.net/...hot_eng/h_50023063000.html ； Some important methods of spininjection like Ohmic injection, tunnel injection, and ballistic injection and their latest developmentare reviewed. 有效的自旋注入是自旋电子学面临的重大挑战之一,文中综述了欧姆式注入、隧道注入、弹道电子注入等几种重要的自旋注入方法以及它们的最新进展。 ；https://dict.cnki.net/h_53583636000.html ；；；写入数据有两种技术，热电子注入(hot electron injection)和F-N隧道效应(Fowler Nordheim tunneling=)，前一种是通过源极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。 ;【为什么NOR型闪存的寿命较短？ 】正是由于在写入和擦除时利用了不同的技术，使得NOR芯片在写入和擦除数据时，电流会从不同的地方经过，如此一来，加剧了介质的氧化降解，加速了芯片的老化 https://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_5678.HTM |
3楼2013-09-08 12:56:28