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地心来的太阳

新虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
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帖子: 2
在线: 14分钟
虫号: 1241377
注册: 2011-03-22

[交流] 关于AlGaN/GaN异质结生长已有2人参与

在GaN基hfet器件中，为什么要先生长GaN再在GaN上面生长AlGaN材料，假如先生长AlGaN材料再生长GaN材料会出现什么情况，还会有二维电子气存在么？

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1楼 2013-08-29 21:21:47

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

lipengchong

金虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 753.5
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虫号: 2085513
注册: 2012-10-25
性别: GG
专业: 有机金属化学

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

二维电子气是由于极化效应产生的，分自发极化和压电极化。AlN极化比GaN强，所以AlGaN极化比GaN强，所以界面处产生电子气还是空穴气一般主要看AlGaN的极化方向。你说的GaN上生长AlGaN是在Ga面上生长的，会产生电子气；如果在AlGaN的Ga面上生长GaN会产生二维的空穴气，不会产生电子气。